[发明专利]倒装芯片过模封装件有效

专利信息
申请号: 200980134369.9 申请日: 2009-07-01
公开(公告)号: CN102144290A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: K·德圭 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 封装
【权利要求书】:

1.一种集成电路封装件,包括:

集成电路(IC);

封装衬底,其上布置所述集成电路,所述封装衬底具有布置在其上的多个去耦电容器;

围绕所述集成电路的周围边缘的支撑构件,所述支撑构件通过粘性隔离件固定到所述封装衬底,所述粘性隔离件配置为使得芯片电容器能够布置在所述支撑构件的表面下方。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述支撑构件由铜构成,并且所述粘性隔离件是模板可印刷粘性材料。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装件,还包括:布置在所述集成电路的顶表面上的热界面材料(TIM);以及布置在所述热界面材料上方的热沉。

4.根据权利要求3所述的集成电路封装件,其中所述热沉的底表面的中心部分朝所述TIM的顶表面向外延伸,所述热沉的中心部分比所述热沉的周围区域厚。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述支撑构件是刚性的并且由铜构成,并且其中所述粘性隔离件被布置在所述封装衬底的表面的拐角上。

6.一种集成电路封装件,包括:

集成电路(IC),其具有布置在所述集成电路的表面上方的热界面材料(TIM);

封装衬底,其上布置所述集成电路,所述封装衬底具有布置在其上的多个去耦电容器;

沿着所述封装衬底的周围边缘布置并且围绕所述集成电路的模具帽,其中所述模具帽具有比所述集成电路和热界面材料的组合高度更大的高度,由此在所述热界面材料上方和所述模具帽的侧壁之间形成凹陷;以及

布置在所述集成电路上方的热沉,其中从所述热沉延伸的侧部比所述热沉的中心部分薄。

7.根据权利要求6所述的集成电路封装件,其中从所述热沉延伸的所述侧部被嵌入到所述模具帽中。

8.根据权利要求6所述的集成电路封装件,其中所述热界面材料由粉碎的银构成。

9.根据权利要求6所述的集成电路封装件,其中从所述热沉延伸的所述侧部的底表面被布置在所述模具帽上方。

10.根据权利要求9所述的集成电路封装件,其中从所述热沉延伸的所述侧部的所述底表面被不规则成形,以增加与所述模具帽的接触面积。

11.根据权利要求6所述的集成电路封装件,其中所述模具帽由环氧树脂模制化合物构成。

12.根据权利要求6所述的集成电路封装件,还包括:通过多个粘性隔离件被固定到所述封装衬底的刚性支撑构件。

13.根据权利要求12所述的集成电路封装件,其中所述刚性支撑构件下方的高度大于所述去耦电容器的高度。

14.一种集成电路(IC)的封装方法,包括:

将所述集成电路布置到封装衬底上;

将多个去耦电容器布置在所述集成电路的周界外的所述封装衬底上;

用粘性隔离件将刚性支撑构件固定到所述封装衬底,所述粘性隔离件抬升所述刚性支撑构件以使得所述去耦电容器能够被布置在所述支撑构件下方的所述封装衬底上;以及

围绕所述集成电路的周界注入模制化合物。

15.根据权利要求14所述的方法,还包括:将热界面材料(TIM)布置在所述集成电路上;以及

将热沉固定到所述热界面材料上。

16.根据权利要求15所述的方法,其中注入所述模制化合物包括将所述热沉的侧向延伸部分嵌入到所述模制化合物中。

17.根据权利要求14所述的方法,其中所述模制化合物的高度大于所述集成电路和所述热界面材料的组合高度。

18.根据权利要求15所述的方法,其中所述热沉的侧向延伸部分被固定到所述模制化合物的顶表面。

19.根据权利要求18所述的方法,其中布置在所述模制化合物上方的所述侧向延伸部分的底表面被不规则成形。

20.根据权利要求14所述的方法,其中所述刚性支撑构件被布置在所述封装衬底的外周围区域上方。

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