[发明专利]角度传感器无效

专利信息
申请号: 200980134424.4 申请日: 2009-08-31
公开(公告)号: CN102144142A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 德永一郎 申请(专利权)人: 阿尔卑斯电气株式会社
主分类号: G01B7/30 分类号: G01B7/30;G01D5/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 角度 传感器
【权利要求书】:

1.一种角度传感器,特征在于,

具有:

磁铁,安装于能够旋转的旋转体上,并能够与所述旋转体一起旋转;

环状磁轭,以包围所述磁铁的围绕旋转轴的外周面的方式沿环状延伸,并在延伸方向的一部分上形成有缺口部;和

磁阻效应器件,配置于所述缺口部中,检测所述缺口部内所产生的磁场的方向。

2.根据权利要求1所述的角度传感器,其特征在于,

所述磁铁的围绕旋转轴的外周面为圆形。

3.根据权利要求1所述的角度传感器,其特征在于,

所述缺口部的间隙宽度形成为使得作用于所述磁阻效应器件的磁场的正交成分的振幅比为1。

4.根据权利要求1所述的角度传感器,其特征在于,

所述环状磁轭形成为圆环状,

所述缺口部的间隙宽度为所述环状磁轭的中心直径的1/8~1/12。

5.根据权利要求4所述的角度传感器,其特征在于,

所述缺口部的间隙宽度为所述环状磁轭的中心直径的1/10。

6.一种角度传感器,其特征在于,具有:

磁铁,安装于能够旋转的旋转体上,并能够与所述旋转体一起旋转;

环状磁轭,以包围所述磁铁的围绕旋转轴的外周面的方式沿环状延伸,并在延伸方向上形成有多个缺口部;和

磁阻效应器件,配置于所述多个缺口部中的某一缺口部中,检测配置有该磁阻效应器件的缺口部内产生的磁场的方向。

7.根据权利要求6所述的角度传感器,其特征在于,

所述磁铁的围绕旋转轴的外周面为圆形。

8.根据权利要求6所述的角度传感器,其特征在于,

所述多个缺口部形成在所述环状磁轭上,以使得磁通沿一方向流过所述环状磁轭的磁路的磁阻与磁通沿与所述一方向相反的方向流过所述环状磁轭的磁路的磁阻大致相同。

9.根据权利要求6所述的角度传感器,其特征在于,

所述多个缺口部为两个,

两个缺口部在所述环状磁轭中形成于隔着所述磁铁的旋转中心大致对置的位置。

10.根据权利要求9所述的角度传感器,其特征在于,

所述两个缺口部的间隙宽度形成为使得作用于所述磁阻效应器件的磁场的正交成分的振幅比为1。

11.根据权利要求9所述的角度传感器,其特征在于,

所述环状磁轭形成为圆环状,

所述两个缺口部的间隙宽度为所述环状磁轭的中心直径的1/8~1/12。

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