[发明专利]铜层处理

权利要求书

1.一种处理铜的方法，其包含：

通过使铜与包括硫的等离子体气体反应形成铜硫化合物；和

用水移除所述铜硫化合物的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜硫化合物是硫酸铜(CuSO₄)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜硫化合物是硫化铜(Cu_xS_x)。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述等离子体气体包括硫化合物和惰性气体。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述等离子体气体包括铜氧硫化合物。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中在室中以1000瓦特(W)向所述等离子体气体供电。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述室中以250W的射频(RF)偏压功率向所述等离子体气体供电120秒。

8.一种计算机可读媒体，其具有存储于其上且可由处理器执行以使装置执行方法的指令，所述方法包含：

在衬底上沉积铜层；

在所述铜层上沉积二氧化硅层；

图案化所述二氧化硅层以暴露所述铜层的一部分；和

使所述铜层的所述暴露部分与等离子体硫气体混合物反应以形成铜硫化合物。

9.根据权利要求8所述的计算机可读媒体，其中所述铜硫化合物可溶于水中。

10.根据权利要求8所述的计算机可读媒体，其中所述铜硫化合物是胆矾。

11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的计算机可读媒体，其中所述方法包括用去离子水移除所述钢硫化合物。

12.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的计算机可读媒体，其中所述硫气体混合物包括铜氧硫化合物。

13.根据权利要求12所述的计算机可读媒体，其中所述铜氧硫化合物包括氯。

14.一种平面化铜的方法，其包含：

在衬底上沉积铜层；

使所述铜层的一部分与等离子体硫气体混合物反应达所需深度，以形成达到所述所需深度的铜硫化合物；和

用水移除所述铜硫化合物以平面化所述铜层的表面。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述铜硫化合物是硫酸铜(CuSO₄)。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述铜硫化合物是硫化铜(Cu_xS_x)。

17.根据权利要求14至16中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包括使所述铜层的所述部分与包括硫化合物和惰性气体的所述硫气体混合物反应。

18.根据权利要求14至16中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包括移除所述铜硫化合物直到深度为200埃

19.根据权利要求14至16中任一权利要求所述的方法，其中所述硫气体混合物包括铜氧硫化合物。

20.根据权利要求14至16中任一权利要求所述的方法，其中所述方法包括从所述硫化合物与水的溶液中回收铜。

21.一种操作反应室的方法，其包含：

在所述室中在衬底上沉积铜层；

使所述铜层与等离子体硫气体混合物反应以形成铜硫化合物；和

通过用水移除所述铜硫化合物来形成图案化铜层。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述方法包括用硬掩模覆盖所述铜层。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述铜硫化合物是硫化铜。

24.根据权利要求21至23中任一权利要求所述的方法，其中所述硫气体混合物包括硫化合物和惰性气体。

25.根据权利要求21至23中任一权利要求所述的方法，其中所述硫气体混合物包括铜氧硫化合物。

26.根据权利要求21至23中任一权利要求所述的方法，其中所述图案化铜层形成存储器装置的一部分。