[发明专利]高频开关模块

权利要求书

1.一种高频开关模块，其特征在于，包括：

开关元件，该开关元件包括与对通信信号进行收发的天线相连接的天线端口、多个择一地对与所述天线端口的连接进行选择的开关端口、以及对所述开关端口与所述天线端口之间的连接进行切换的FET开关；

高频电路，该高频电路将所述多个开关端口中的任意一个与对所述通信信号进行处理的通信信号处理电路相连接；以及

GND电路，该GND电路至少包括一个所述多个开关端口中的不与所述高频电路相连接的空开关端口，所述空开关端口直接或通过由电路元件所构成的阻抗部分与GND电极相连接。

2.如权利要求1所述的高频开关模块，其特征在于，

在所述FET开关对与所述天线端口相连接的开关端口进行切换时，所述空开关端口暂时与所述天线端口相连接。

3.如权利要求1或2所述的高频开关模块，其特征在于，

所述阻抗部包括特性阻抗为50Ω的电阻。

4.如权利要求1至3中任一项所述的高频开关模块，其特征在于，

所述FET开关是GaAs半导体FET开关，

所述阻抗部包括电容器，该电容器串联连接在互相连接的开关端口与所述GND电极之间。

5.如权利要求1至4中任一项所述的高频开关模块，其特征在于，

将所述开关元件、所述高频电路、以及所述GND电路与交替层叠绝缘体层和布线电极而成的陶瓷多层基板形成为一体。

6.如权利要求5所述的高频开关模块，其特征在于，

所述陶瓷多层基板在与所述开关元件的安装面不同的基板层叠面上具有所述GND电极，所述GND电路使所连接的开关端口经由通孔电极与所述GND电极相连接。

7.如权利要求6所述的高频开关模块，其特征在于，

所述陶瓷多层基板的内部包括多个GND电极，所述GND电路使所连接的所述空开关端口经由形成于所述陶瓷多层基板内部的通孔电极，在所述绝缘体层的层叠方向上，直接与最靠近所述开关元件的安装面而配置的GND电极相连接。

8.如权利要求1至7中任一项所述的高频开关模块，其特征在于，

所述多个开关端口配置于所述开关元件的一个主面的周边部分，所述空开关端口配置成夹在所述多个开关端口之间。

9.一种高频开关模块，其特征在于，包括：

开关元件，该开关元件包括与对通信信号进行收发的天线相连接的天线端口、多个择一地对与所述天线端口的连接进行选择的开关端口、以及对所述开关端口与所述天线端口之间的连接进行切换的FET开关；以及

高频电路，该高频电路将所述多个开关端口中的任意一个与对所述通信信号进行处理的通信信号处理电路相连接，且该高频电路为一个以上，

在所述多个开关端口之中，至少有两个开关端口与一个所述高频电路相连接。