[发明专利]氮化物半导体发光器件和半导体发光器件有效
| 申请号： | 200980134707.9 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102144342A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;麦华路巴武吕;伊藤茂稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：
n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)；
氮化物半导体层(103，303，603，1203)，设置在所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上；
p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)，设置在所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)上；以及
有源层(105，305，605，1205)，设置在所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)上。
2.一种氮化物半导体发光器件，包括：
n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)；
氮化物半导体层(103，303，603，1203)，设置在所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上，在所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)的至少一部分中具有极性平面；
p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)，设置在所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)上；以及
有源层(105，305，605，1205)，设置在所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)上。
3.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，
所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)包含铝。
4.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，
所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)是AlxGa1-xN(0＜x≤1)。
5.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，包括：第二n型氮化物半导体层(106，306，606a，1206a)，设置在所述有源层(105，305，605，1205)上，其中，
与所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)相接触的第一电极(107，307，607，1207)是阳极电极，以及
与所述第二n型氮化物半导体层(106，306，606a，1206a)相接触的第二电极(108，308，608，1208)是阴极电极。
6.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，
所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)具有不小于0.5nm且不大于30nm的厚度。
7.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，
所述有源层(105，305，605，1205)具有由包含In的III族氮化物半导体构成的阱层，以及
所述阱层中的In成分比率不低于0.15且不高于0.4。
8.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，
所述有源层(105，305，605，1205)具有由包含In的III族氮化物半导体构成的阱层，以及
所述阱层中的In成分比率不低于0.2且不高于0.4。
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