[发明专利]集成薄膜太阳能电池有效
申请号: | 200980134780.6 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN102144299A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 奈须野善之;武田彻 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;张耀宏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种集成薄膜太阳能电池,包括:
串,所述串包括形成在透明绝缘基板上并互相串联电连接的多个薄膜光电转换元件;和
与所述串电连接的一个或更多个集电电极,其中
所述薄膜光电转换元件具有层合在所述透明绝缘基板上的第一透明电极层、层合在所述第一电极层上的光电转换层和层合在所述光电转换层上的第二电极层,
所述集电电极与所述串中的任意薄膜光电转换元件的第二电极层电连接,
所述串具有通过移除相邻两个薄膜光电转换元件之间的第二电极层和光电转换层而形成的元件隔离槽,
一个薄膜光电转换元件的第一电极层具有延伸部分,并且通过一个或更多个电极隔离线与另一个相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层电绝缘,所述延伸部分的一端穿过所述元件隔离槽,并且所述延伸部分延伸到所述相邻薄膜光电转换元件的区域,
所述一个薄膜光电转换元件的第二电极层经由穿过所述光电转换层的导电部分与相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层的延伸部分电连接,
在与所述集电电极相连的薄膜光电转换元件中,第一电极层的至少在集电电极正下方的一部分与其它部分通过电极隔离线和绝缘线中的至少其一互相绝缘并隔离。
2.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池,其中所述集电电极包括第一集电电极和第二集电电极,所述第一集电电极和所述第二集电电极连接到所述串中在串联方向的两端的两个薄膜光电转换元件的第二电极层,
与所述第一集电电极连接的薄膜光电转换元件至少在所述第一电极层的在所述串中流动的电流方向上相对于在第一集电电极正下方的部分的下游侧形成有绝缘线,
与所述第二集电电极连接的薄膜光电转换元件至少在所述第一电极层的在电流方向上相对于在第二集电电极正下方的部分的上游侧形成有电极隔离线。
3.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池,其中所述集电电极包括一个或更多个中间集电电极,所述中间集电电极连接到在所述串中的串联方向的两端的两个薄膜光电转换元件之间的一个或更多个薄膜光电转换元件的第二电极层上,
与所述中间集电电极连接的薄膜光电转换元件至少在第一电极层的在所述串中流动的电流方向上相对于在中间集电电极正下方的部分的上游侧具有电极隔离线,并且在第一电极层在电流方向的下游侧具有绝缘线。
4.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池,其中:
多个所述串在垂直于串联方向的方向上穿过沿所述串联方向延伸的一个或更多个串隔离槽布置在所述一个透明绝缘基板上,
所述多个串并联或串联电连接。
5.根据权利要求2所述的集成薄膜太阳能电池,其中:
多个所述串在垂直于串联方向的方向上穿过沿所述串联方向延伸的一个或更多个串隔离槽布置在所述一个透明绝缘基板上,
所述多个串通过至少一个串隔离槽完全绝缘并分隔成多个组,
各个组中的多个串通过所述第一集电电极和第二集电电极并联电连接,
所述多个组串联电连接。
6.根据权利要求5所述的集成薄膜太阳能电池,其中在包括多个串的各个组中,位于所述串联方向的两端并在与串联方向垂直的方向上相邻的多个薄膜光电转换元件集成连接,而不通过所述串隔离槽隔离。
7.根据权利要求3所述的集成薄膜太阳能电池,其中:
多个串在垂直于串联方向的方向上穿过沿所述串联方向延伸的一个或更多个串隔离槽平行布置在所述一个透明绝缘基板上,
所述多个串通过第一集电电极、中间集电电极和第二集电电极并联电连接,
多个旁路二极管与并联电连接的所述多个串并联电连接,
所述多个旁路二极管串联电连接。
8.根据权利要求7所述的集成薄膜太阳能电池,其中在所述多个串中,位于所述串联方向的两端并在与串联方向垂直的方向上相邻的多个薄膜光电转换元件集成连接,而不通过所述串隔离槽隔离。
9.根据权利要求4所述的集成薄膜太阳能电池,其中所述串隔离槽包括通过移除所述第一电极层形成的第一槽,和通过移除所述光电转换层和所述第二电极层而形成的宽度大于第一槽的宽度的第二槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的