[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件

权利要求书

1.发光元件，其包含：

阳极；

阴极；以及

该阳极和该阴极之间的多个发光层，所述多个发光层彼此接触以形成叠置结构，

其中该多个发光层包含第一发光层和第二发光层，

其中该第一发光层是该多个发光层中与阳极最接近的，

其中该第二发光层是该多个发光层中与阴极最接近的，

其中该第一发光层包括主体材料、空穴传输材料以及发光材料，并且

其中该第二发光层包括主体材料、比该第一发光层中的浓度低的空穴传输材料，以及发光材料。

2.根据权利要求1的发光元件，

其中该第一发光层中的空穴传输材料与主体材料的质量比小于或等于1，并且

其中该第二发光层中的空穴传输材料与主体材料的质量比大于或等于0.05。

3.根据权利要求1的发光元件，

其中该发光材料的LUMO能级比该主体材料的LUMO能级以及该空穴传输材料的LUMO能级低0.2eV或更多。

4.根据权利要求1的发光元件，

其中该主体材料是杂芳族化合物或金属配合物。

5.根据权利要求1的发光元件，

其中该空穴传输材料是芳族胺化合物或咔唑衍生物。

6.根据权利要求1的发光元件，

其中该发光材料是发射磷光的化合物。

7.根据权利要求1的发光元件，

其中该发光材料是有机金属配合物，该有机金属配合物包含具有吡嗪骨架的配体并且其中心金属是属于第9族或第10族的元素。

8.根据权利要求7的发光元件，

其中该具有吡嗪骨架的配体是2-芳基吡嗪衍生物。

9.根据权利要求8的发光元件，

其中该2-芳基吡嗪衍生物是2-苯基吡嗪衍生物。

10.根据权利要求9的发光元件，

其中该2-苯基吡嗪衍生物是2，5-二苯基吡嗪衍生物。

11.根据权利要求7的发光元件，

其中该中心金属是铱或铂。

12.根据权利要求1的发光元件，其进一步包含：

在该第二发光层和该阴极之间的电子传输层，

其中该第二发光层与该电子传输层接触。

13.根据权利要求1的发光元件，其中该主体材料具有电子传输性能。

14.发光器件，其包含：

根据权利要求1的发光元件；以及

为控制该发光元件的发光而配置的装置。

15.包含权利要求14的发光器件的电子器件。

16.发光元件，其包含：

阳极；

阴极；

该阳极和该阴极之间的第一发光层；以及

该阳极和该第一发光层之间的第二发光层，该第二发光层与该第一发光层接触，

其中该第一发光层包括主体材料、空穴传输材料以及发光材料，并且

其中该第二发光层包括主体材料、比该第一发光层中的浓度低的空穴传输材料，以及发光材料。

17.根据权利要求16的发光元件，

其中该第一发光层中的空穴传输材料与主体材料的质量比小于或等于1，并且

其中该第二发光层中的空穴传输材料与主体材料的质量比大于或等于0.05。

18.根据权利要求16的发光元件，

其中该发光材料的LUMO能级比该主体材料的LUMO能级以及该空穴传输材料的LUMO能级低0.2eV或更多。

19.根据权利要求16的发光元件，

其中该主体材料是杂芳族化合物或金属配合物。

20.根据权利要求16的发光元件，

其中该空穴传输材料是芳族胺化合物或咔唑衍生物。

21.根据权利要求16的发光元件，

其中该发光材料是发射磷光的化合物。

22.根据权利要求16的发光元件，

其中该发光材料是有机金属配合物，该有机金属配合物包含具有吡嗪骨架的配体并且其中心金属是属于第9族或第10族的元素。