[发明专利]原位腔室处理与沉积工艺有效
申请号: | 200980134897.4 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN102144281A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩;梅·张;史蒂文·H·金;吴典晔;诺曼·M·纳卡西玛;马克·约翰逊;罗亚·帕拉科德迪 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 处理 沉积 工艺 | ||
1.一种用于处理腔室与在基板表面上沉积材料的方法,其包含以下步骤:
在预处理工艺期间,将工艺腔室的内表面和该工艺腔室内部的基板暴露至处理气体,其包含烷基胺化合物;及
在原子层沉积工艺期间,在该基板上沉积材料时,将该基板循序暴露至烷胺金属前驱物气体和至少一第二前驱物气体。
2.如权利要求1所述的方法,其中该烷基胺化合物所具有的化学式为H2NR或HNR′R″,其中每一R、R′和R″独立选自下列所构成的群组:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、芳香基、其异构物、其衍生物和其组合。
3.如权利要求1所述的方法,其中该工艺腔室的该内表面包括盖体组件内表面和腔室主体内表面,其在该预处理工艺期间加热至约30℃至约100℃的范围内的温度,并暴露至该处理气体达约5秒至约60秒的范围内的时间周期。
4.一种用于处理腔室与在基板表面上沉积材料的方法,其包含以下步骤:
在预处理工艺期间,将工艺腔室的内表面和配置在该工艺腔室内部的基板暴露至处理气体,其包含氢化配体化合物,其中该氢化配体化合物具有化学式HL,其中L为配体,其选自下列所构成的群组:烷胺基、烷基亚胺基、烷氧基、烷基、烯、炔、环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基和其衍生物;及
在气相沉积工艺期间,将该基板暴露至第一前驱物气体,以在该基板上沉积材料,其中该第一前驱物气体包含第一前驱物,其具有ML′x的化学式,其中x为1、2、3、4、5、6或更大,M为元素,其选自下列所构成的群组:钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、钌、钴、镍、钯、铂、铜、铝、镓、铟、硅、锗、锡、磷、砷或锑,且每一L′为独立配体,其选自下列所构成的群组:烷胺基、烷基亚胺基、烷氧基、烷基、烯、炔、环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基、氢、卤素、其衍生物和其组合。
5.如权利要求4所述的方法,其中该氢化配体化合物为烷基胺化合物,其具有化学式H2NR或HNR′R″,其中每一R、R′和R″独立选自下列所构成的群组:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、芳香基、其异构物、其衍生物和其组合。
6.如权利要求5所述的方法,其中该烷基胺化合物选自下列所构成的群组:甲胺、二甲胺、乙胺、二乙胺、甲基乙胺、丙胺、二丙胺、丁胺、二丁胺、其异构物、其衍生物和其组合。
7.如权利要求4所述的方法,其中该第一前驱物包含烷胺配体,其选自下列所构成的群组:N(CH3)2、N(C2H5)2、N(C3H7)2、N(C4H9)2、N(CH3)(C2H5)、其异构物、其衍生物和其组合。
8.如权利要求7所述的方法,其中该元素M为钽,且x为4或5。
9.如权利要求8所述的方法,其中该第一前驱物为五(二甲胺)钽,且该烷基胺化合物气体包含甲胺或二甲胺。
10.如权利要求7所述的方法,其中该元素M为硅、钛、锆或铪,且x为4。
11.如权利要求4所述的方法,其中该氢化配体化合物为醇化合物,其具有化学式ROH,其中R选自下列所构成的群组:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、其异构物、其衍生物和其组合。
12.如权利要求11所述的方法,其中该醇化合物选自下列所构成的群组:甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、其异构物、其衍生物和其组合。
13.如权利要求11所述的方法,其中该第一前驱物包含烷氧基配体,其选自下列所构成的群组:OCH3、OC2H5、OC3H7、OC4H9、其异构物、其衍生物和其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造