[发明专利]原位腔室处理与沉积工艺

权利要求书

1.一种用于处理腔室与在基板表面上沉积材料的方法，其包含以下步骤：

在预处理工艺期间，将工艺腔室的内表面和该工艺腔室内部的基板暴露至处理气体，其包含烷基胺化合物；及

在原子层沉积工艺期间，在该基板上沉积材料时，将该基板循序暴露至烷胺金属前驱物气体和至少一第二前驱物气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中该烷基胺化合物所具有的化学式为H₂NR或HNR′R″，其中每一R、R′和R″独立选自下列所构成的群组：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、芳香基、其异构物、其衍生物和其组合。

3.如权利要求1所述的方法，其中该工艺腔室的该内表面包括盖体组件内表面和腔室主体内表面，其在该预处理工艺期间加热至约30℃至约100℃的范围内的温度，并暴露至该处理气体达约5秒至约60秒的范围内的时间周期。

4.一种用于处理腔室与在基板表面上沉积材料的方法，其包含以下步骤：

在预处理工艺期间，将工艺腔室的内表面和配置在该工艺腔室内部的基板暴露至处理气体，其包含氢化配体化合物，其中该氢化配体化合物具有化学式HL，其中L为配体，其选自下列所构成的群组：烷胺基、烷基亚胺基、烷氧基、烷基、烯、炔、环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基和其衍生物；及

在气相沉积工艺期间，将该基板暴露至第一前驱物气体，以在该基板上沉积材料，其中该第一前驱物气体包含第一前驱物，其具有ML′_x的化学式，其中x为1、2、3、4、5、6或更大，M为元素，其选自下列所构成的群组：钛、锆、铪、铌、钽、钼、钨、钌、钴、镍、钯、铂、铜、铝、镓、铟、硅、锗、锡、磷、砷或锑，且每一L′为独立配体，其选自下列所构成的群组：烷胺基、烷基亚胺基、烷氧基、烷基、烯、炔、环戊二烯基、烷基环戊二烯基、戊二烯基、吡咯基、氢、卤素、其衍生物和其组合。

5.如权利要求4所述的方法，其中该氢化配体化合物为烷基胺化合物，其具有化学式H₂NR或HNR′R″，其中每一R、R′和R″独立选自下列所构成的群组：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、芳香基、其异构物、其衍生物和其组合。

6.如权利要求5所述的方法，其中该烷基胺化合物选自下列所构成的群组：甲胺、二甲胺、乙胺、二乙胺、甲基乙胺、丙胺、二丙胺、丁胺、二丁胺、其异构物、其衍生物和其组合。

7.如权利要求4所述的方法，其中该第一前驱物包含烷胺配体，其选自下列所构成的群组：N(CH₃)₂、N(C₂H₅)₂、N(C₃H₇)₂、N(C₄H₉)₂、N(CH₃)(C₂H₅)、其异构物、其衍生物和其组合。

8.如权利要求7所述的方法，其中该元素M为钽，且x为4或5。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第一前驱物为五(二甲胺)钽，且该烷基胺化合物气体包含甲胺或二甲胺。

10.如权利要求7所述的方法，其中该元素M为硅、钛、锆或铪，且x为4。

11.如权利要求4所述的方法，其中该氢化配体化合物为醇化合物，其具有化学式ROH，其中R选自下列所构成的群组：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、其异构物、其衍生物和其组合。

12.如权利要求11所述的方法，其中该醇化合物选自下列所构成的群组：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、其异构物、其衍生物和其组合。

13.如权利要求11所述的方法，其中该第一前驱物包含烷氧基配体，其选自下列所构成的群组：OCH₃、OC₂H₅、OC₃H₇、OC₄H₉、其异构物、其衍生物和其组合。