[发明专利]带有DC偏移和IM2抑制反馈环的单端多频带反馈线性化RF放大器以及混频器有效
申请号: | 200980134908.9 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN102138283A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | T·泰尔德 | 申请(专利权)人: | 爱立信电话股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/30 | 分类号: | H04B1/30;H03D3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;王洪斌 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 dc 偏移 im2 抑制 反馈 单端多 频带 线性化 rf 放大器 以及 混频器 | ||
1.一种接收器布置,包括:
单端多频带反馈放大器;
至少一个包括主混频器和修整混频器的单端输入、差分输出混频器布置;以及
混频器反馈环电路,配置成接收由所述混频器布置生成的差分输出信号、基于接收的差分输出信号生成反馈信号并将所述反馈信号提供给所述混频器布置以由此最小化DC偏移和第二阶互调产物。
2.如权利要求1所述的接收器布置,其中所述单端多频带反馈放大器包括:
输入级、输出级和耦合在所述输入级与输出级之间的反馈网;以及
连接到所述输入级的输出的可编程谐振储能电路,其中基于在所述输入级的输入处接收的频带设置所述可编程谐振储能电路的谐振频率。
3.如权利要求2所述的接收器布置,其中所述谐振储能被调谐在本地振荡器频率处或本地振荡器频率附近以衰减所述本地振荡器频率的较高谐波。
4.如权利要求2所述的接收器布置,其中所述输出级中的部分电流作为反馈电流通过所述反馈网被提供给所述输入级的输入。
5.如权利要求4所述的接收器布置,其中所述反馈网包括频率相关的可配置电阻和电容网络,并且基于所述单端多频带反馈放大器的带操作来整形反馈环的频率响应。
6.如权利要求2所述的接收器布置,其中所述输入级是栅地-阴地放大器配置。
7.如权利要求2所述的接收器布置,其中所述输出级包括两对晶体管,一对晶体管通过AC耦合路径耦合到所述单端多频带反馈放大器的输出节点,而另一对晶体管通过DC耦合路径耦合到所述输出节点,并且其中基于功率放大器的输出功率电平来选择所述AC路径或所述DC路径。
8.如权利要求1所述的接收器布置,还包括增益开关,所述增益开关当启用时通过将到所述单端多频带反馈放大器的输入信号分路到地来降低所述单端多频带反馈放大器的增益。
9.如权利要求8所述的接收器布置,其中当所述输入信号的功率超过预定电平时启用所述增益开关。
10.如权利要求1所述的接收器布置,其中所述主混频器包括:
第一晶体管对,所述第一对中的每个晶体管包括:DC耦合到由信号发生器生成的平衡信号对的相应差分输入的第一输入节点、与到公共节点的第一对晶体管中的另一个晶体管的第二节点连接并从所述单端多频带反馈放大器接收信号输出的第二节点以及输出所述差分输出信号的输出节点;以及
其中所述修整混频器包括:
第二晶体管对,所述第二对中的每个晶体管包括AC耦合到所述平衡信号对的相应差分输入的输入节点、与到公共节点的所述第二对晶体管中的另一个晶体管的第二节点连接的第二节点以及连接到所述第一晶体管对的所述输出节点的输出节点;其中所述第一晶体管对的公共节点和第二晶体管对的公共节点彼此AC耦合,并且其中所述修整混频器从所述混频器反馈环电路接收反馈信号。
11.如权利要求1所述的接收器布置,其中所述混频器反馈环电路包括:
第一级,包含第三晶体管对,所述第三晶体管对中的每个晶体管包含:从所述混频器布置接收所述差分输出信号中相应信号的第一输入节点,和输出节点,其中所述第一级具有低通滤波器特性;以及
第二跨导级,包含第四晶体管对,所述第四晶体管对中的每个晶体管包含:连接到所述第三晶体管对的所述输出节点之一的第一输入节点,和将所述反馈信号输出到所述修整混频器的所述第二晶体管对以控制所述第二晶体管对的偏置电压的输出节点。
12.如权利要求11所述的接收器布置,其中所述第三晶体管对中的每个晶体管的输出连接到RC网络。
13.如权利要求11所述的接收器布置,其中在所述混频器反馈环电路中提供关闭机构以关掉到所述第三晶体管对的偏置电压。
14.如权利要求11所述的接收器布置,其中当与所述接收器布置相关联的发射器在预定功率电平以下发射时激活所述关闭机构。
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