[发明专利]有机电子器件以及使用溶液处理技术制造该器件的方法

权利要求书

1.有机电子器件的制造方法，该方法包括：提供基板；在该基板上方形成阱限定结构；并在该阱限定结构所限定的阱中沉积有机导体材料和/或有机半导体材料的溶液，其中该阱限定结构通过如下方式形成：沉积包含第一绝缘材料和第二绝缘材料的混合物的溶液，该第二绝缘材料具有比该第一绝缘材料低的可湿性，并使该第一和第二绝缘材料至少部分地发生相分离，其中该第二绝缘材料以远离该基板的方向发生相分离。

2.根据权利要求1的方法，其中该第一和第二绝缘材料完全发生相分离以形成两个不同且独立的层。

3.根据权利要求1的方法，其中该第一和第二绝缘材料部分地发生相分离，以使得阱限定结构的至少一部分包含该第一和第二材料的混合物。

4.根据权利要求3的方法，其中该第一和第二绝缘材料部分地发生相分离以形成三个区域：与基板相邻、基本上不包含第二绝缘材料的下部区域；在基板的相对侧、基本上不包含第一绝缘材料的上部区域；以及包含该第一和第二绝缘材料的混合物的中间区域。

5.根据以上任一项权利要求的方法，其中在使该第一和第二绝缘材料至少部分地发生相分离之后形成阱。

6.根据以上任一项权利要求的方法，其中在沉积包含该第一和绝缘材料的溶液之后进行烘焙步骤，以促进该第一和第二材料发生相分离。

7.根据以上任一项权利要求的方法，其中该第一材料与水的接触角小于60°，优选小于50°，更优选小于40°，并且最优选小于30°。

8.根据以上任一项权利要求的方法，其中该第二材料与水的接触角大于60°，优选大于70°，更优选大于80°，并且最优选大于90°。

9.根据以上任一项权利要求的方法，其中该第一和第二材料与水的接触角之差为至少20°。

10.根据以上任一项权利要求的方法，其中该第一绝缘材料是聚合物抗蚀剂材料。

11.根据以上任一项权利要求的方法，其中该第二绝缘材料是氟化聚合物。

12.根据权利要求11的方法，其中该氟化聚合物包含增溶基团。

13.根据以上任一项权利要求的方法，其中该阱限定结构包含20重量％或更少的该第二绝缘材料。

14.有机电子器件，其包含：基板；位于该基板上方的阱限定结构；以及位于该阱限定结构所限定的阱中的有机半导体和/或有机导体材料，其中该阱限定结构包含第一绝缘材料和第二绝缘材料，该第二绝缘材料具有比该第一绝缘材料低的可湿性，其中该第二绝缘材料具有沿着远离基板的方向提高的浓度，并且该阱限定结构的至少一部分包含该第一和第二材料的混合物。

15.根据权利要求14的有机电子器件，其中该阱限定结构包含三个区域：与基板相邻、基本上不包含第二绝缘材料的下部区域；在基板的相对侧、基本上不包含第一绝缘材料的上部区域；以及包含该第一和第二绝缘材料的混合物的中间区域。