[发明专利]键盘装置、包括该键盘装置的移动设备以及键盘控制方法

权利要求书

1.一种键盘装置，该键盘装置包括：

触摸面板；

透明有机发光二极管TOLED面板，其设置在所述触摸面板下面；

控制单元，其电连接到所述触摸面板和所述TOLED面板，并且被配置为检测与所述触摸面板的触摸点相关的电信号，且使所述TOLED面板的与所述触摸点相对应的像素发光；以及

反光片，其设置在所述TOLED面板下面，构图有键盘信息，并且被配置为反射与所述TOLED面板的发光像素相对应的键盘信息，从而显示该键盘信息。

2.根据权利要求1所述的键盘装置，其中，所述TOLED面板包括：

基板；

第一电极，其形成在所述基板上；

有机层，其形成在所述第一电极上；

第二电极，其形成在所述有机层上；以及

透明层，其形成在所述有机层与所述第二电极之间和/或所述第二电极的顶部上，并且被配置为包括从由氧化物、氮化物、盐化物及其混合物构成的组中选择的任意一种。

3.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述氧化物包括MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂和SrO₂。

4.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述氮化物包括SiN和AIN。

5.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述盐化物包括Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF和ZnSe。

6.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述透明层具有等于或大于0.1nm并且小于100nm的厚度。

7.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述有机层包括电子传输层，所述电子传输层掺杂有从由低功函数金属和它们的化合物构成的组中选择的任意一种，以便促进从所述第二电极注入电子。

8.根据权利要求7所述的键盘装置，其中，所述低功函数金属包括Cs、Li、Na、K和Ca。

9.根据权利要求7所述的键盘装置，其中，所述化合物包括Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃。

10.根据权利要求2所述的键盘装置，其中，所述TOLED面板根据波长(nm)呈现出在70％到99％范围内的透光率。

11.一种键盘装置，该键盘装置包括：

触摸面板；

有机发光二极管OLED面板，其设置在所述触摸面板下面，构图有键盘信息，并显示与发光像素相对应的键盘信息；以及

控制单元，其电连接到所述触摸面板和所述OLED面板，并且被配置为检测与所述触摸面板的触摸点相关的电信号，使所述OLED面板的与所述触摸点相对应的像素发光。

12.根据权利要求11所述的键盘装置，其中，所述OLED面板包括TOLED面板。

13.根据权利要求12所述的键盘装置，其中，所述TOLED面板包括：

基板；

第一电极，其形成在所述基板上；

有机层，其形成在所述第一电极上；

第二电极，其形成在所述有机层上；以及

透明层，其形成在所述有机层与所述第二电极之间和/或所述第二电极的顶部上，并且被配置为包括从由氧化物、氮化物、盐化物及其混合物构成的组中选择的任意一种。

14.一种包括根据权利要求1到13中的任一项所述的键盘装置的移动设备。