[发明专利]III族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包含：n型氮化物半导体层；掺有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层；有源层，所述有源层位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间，并包含通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层；和扩散阻挡层，所述扩散阻挡层设置在所述量子阱层和所述p型氮化物半导体层之间并与这两层接触，所述扩散阻挡层的表面形成为使得与所述p型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述p型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述p型氮化物半导体层的与所述扩散阻挡层接触的区域的掺杂浓度为等于或大于1×10¹⁹/cm³。

3.如权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述p型氮化物半导体层还包含掺杂浓度低于与所述扩散阻挡层接触的所述区域的掺杂浓度的区域。

4.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，对于所述p型掺杂剂，所述量子阱层的平均掺杂浓度为低于1×10¹⁸/cm³。

5.如权利要求4所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述p型氮化物半导体层的与所述扩散阻挡层接触的区域的掺杂浓度为等于或大于1×10¹⁹/cm³。

6.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层提供的所述p型氮化物半导体层和所述量子阱层之间的掺杂浓度差为至少50％。

7.如权利要求6所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述p型掺杂剂是镁。

8.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层包含镓和铟。

9.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层由In(x)Ga(1-x)N制成，其中，x为等于或大于0.01。

10.如权利要求9所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层由In(x)Ga(1-x)N制成，其中，x为等于或大于0.02。

11.如权利要求10所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层由In(x)Ga(1-x)N制成，其中，x为等于或大于0.03。

12.如权利要求11所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述有源层包含量子阻挡层，所述量子阻挡层设置在相对于所述量子阱层与所述扩散阻挡层相反的一侧，并且所述量子阻挡层的铟含量小于所述扩散阻挡层的铟含量。

13.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述扩散阻挡层还包含铝。

14.一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包含：n型氮化物半导体层；掺有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层；有源层，所述有源层位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间，并包含通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述量子阱层和所述p型氮化物半导体层之间并与这两层接触，所述扩散阻挡层的表面使用镓和铟形成，并防止所述p型掺杂剂扩散到所述量子阱层中；和量子阻挡层，所述量子阻挡层设置在所述有源层中的相对于所述量子阱层与所述扩散阻挡层相反的一侧，所述量子阻挡层的铟含量小于所述扩散阻挡层的铟含量。