[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 200980135451.3 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN102150191A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

在具有绝缘表面的衬底上的彼此交叉的扫描线和信号线;

包括像素电极和薄膜晶体管的像素部,其中所述薄膜晶体管包括:

与所述扫描线连接的栅电极;

包括第一氧化物半导体层的沟道形成区域;

与所述信号线和所述第一氧化物半导体层连接的第一布线层;以及

与所述像素电极和所述第一氧化物半导体层连接的第二布线层;

形成在所述像素部和设置在所述衬底的周边部的信号输入端子之间的非线性元件,其中所述非线性元件包括:

与所述扫描线或所述信号线连接的栅电极;

覆盖所述栅电极的栅极绝缘层;

位于所述栅极绝缘层上并与所述栅电极重叠的一对第一及第二布线层,其中所述一对第一及第二布线层中的每一个包括导电层和在所述导电层上的第二氧化物半导体层;以及

与所述第二氧化物半导体层的上表面和侧表面接触并与所述导电层的侧表面接触的第一氧化物半导体层,

其中所述非线性元件的所述第一布线层或所述第二布线层经由第三布线层与所述栅电极连接。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的氧浓度高于所述第二氧化物半导体层的氧浓度。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的导电率低于所述第二氧化物半导体层的导电率。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层具有非晶结构,并且所述第二氧化物半导体层包括处于非晶结构的纳米晶体。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层为氧过量型,而所述第二氧化物半导体层为氧缺乏型。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层包含铟、镓以及锌。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三布线层由与所述像素电极相同的材料形成。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述显示装置被并入在选自由招贴、广告、电子书、电视装置、数码相框、游戏机和电话机构成的组中的一种中。

9.一种显示装置,包括:

在具有绝缘表面的衬底上的彼此交叉的扫描线和信号线;

包括像素电极和薄膜晶体管的像素部,其中所述薄膜晶体管包括:

与所述扫描线连接的栅电极;

包括第一氧化物半导体层的沟道形成区域;

与所述信号线和所述第一氧化物半导体层连接的第一布线层;以及

与所述像素电极和所述第一氧化物半导体层连接的第二布线层;

保护电路,其包括在所述衬底上并且在所述像素部外侧形成的非线性元件,其中所述保护电路将所述扫描线和公共布线彼此连接,或者将所述信号线和公共布线彼此连接,并且其中所述非线性元件包括:

栅电极;

覆盖所述栅电极的栅极绝缘层;

位于所述栅极绝缘层上并与所述栅电极重叠的一对第一及第二布线层,其中所述一对第一及第二布线层中的每一个包括导电层和在所述导电层上的第二氧化物半导体层;以及

与所述第二氧化物半导体层的上表面和侧表面接触并与所述导电层的侧表面接触的第一氧化物半导体层,

其中所述第一布线层或所述第二布线层经由第三布线层与所述非线性元件的所述栅电极连接。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的氧浓度高于所述第二氧化物半导体层的氧浓度。

11.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的导电率低于所述第二氧化物半导体层的导电率。

12.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层具有非晶结构,并且所述第二氧化物半导体层包括处于非晶结构的纳米晶体。

13.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层为氧过量型,并且所述第二氧化物半导体层为氧缺乏型。

14.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层包含铟、镓以及锌。

15.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第三布线层由与所述像素电极相同的材料形成。

16.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述显示装置并入在选自由招贴、广告、电子书、电视装置、数码相框、游戏机和电话机构成的组中的一种中。

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