[发明专利]半导体装置以及用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.半导体装置，包含有至少一个半导体元件（2），其中该半导体元件固定地布置在陶瓷载体（4）上，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）是至少分段地导电的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其特征在于，

该半导体元件（2）包含有具有大能带间隙的、优选大于2eV的半导体材料、尤其SiC。

3.根据前述权利要求之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）和该半导体元件（2）至少近似具有相同的热膨胀系数。

4.根据前述权利要求之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）和该半导体元件（2）至少分段地由相同的材料来构造。

5.根据前述权利要求之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）是至少分段地、优选完全地包围该半导体元件（2）的壳体或者壳体组成部分。

6.根据前述权利要求之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）是完全导电的，或者该陶瓷载体（4）具有至少一个导电的和至少一个不导电的区域（10，11）。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其特征在于，

该不导电区域（11）是至少一个印制导线的载体。

8.根据权利要求6或7之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该导电和不导电区域（10，11）在优选基本二维的平面中并排地布置，或者在三维结构中布置。

9.根据前述权利要求之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该半导体元件（2）在至少一个作为优选厚度小于5μm、优选小于2μm、尤其很优选小于1μm的薄层而构造的、优选金属的辅助层（3）参与的情况下，尤其通过银烧结而与该陶瓷载体（4）固定地连接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其特征在于，

该辅助层（3）是通过背侧涂层而被施加到该半导体元件（2）上的层。

11.根据权利要求1至10之一所述的半导体装置，

其特征在于，

该陶瓷载体（4）具有机械功能结构区段（5）、尤其是固定区段、和/或散热器区段、和/或支撑区段。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

其特征在于，

该功能结构区段（5）包含有开口，以容纳固定元件、和/或对准鼻部、和/或卡锁鼻部、和/或固定销。

13.一种至少分段导电的陶瓷作为半导体元件（2）的载体的应用。

14.用于制造尤其根据前述权利要求之一所述的半导体装置（1）的方法，其包含有以下的步骤：

·提供至少一个半导体元件（2），

·提供至少分段导电的陶瓷载体（4），

·把该半导体元件（2）与该陶瓷载体（4）相接合。

15.根据权利要求14所述的方法，

其特征在于，

该半导体元件（2）利用通过至少一个作为薄层而构造的辅助层（3）、尤其是烧结层而与该陶瓷载体（4）相连接。

16.根据权利要求15所述的方法，

其特征在于，

该辅助层（3）通过背侧涂层而被施加到该半导体元件（2）上。