[发明专利]半导体聚合物

权利要求书

1.一种式(I)的半导体聚合物

其中，X¹和X²独立地为O、S、N、NH、交联性基团或者CR¹或CR²，其中R¹和R²独立地为H、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基、杂芳氧基、交联性部分、寡聚乙二醇；

Y¹和Y²独立地为O、S、Se、氨基；

Z为酯、酰胺、氰基、烷基或多氟烷基、多氯烷基、芳基、杂芳基；

W为H、卤素、氰基、二氰基乙烯基或三氰基乙烯基；并且

n为整数。

2.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中W为F或H。

3.如权利要求1～2中任一项所述的半导体聚合物，其中X¹和X²独立地为CH₂或O。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体聚合物，其中Y¹和Y²独立地为S。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体聚合物，其中Z为C_nF_2n+1或C_nH_2n+1，并且n为1～12的整数。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体聚合物，其中，Z为-COOR”，其中R”为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基、杂芳氧基或C_mH_2m+1，其中m为1～30的整数。

7.如权利要求6所述的半导体聚合物，其中R”具有下式之一：

或

8.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中

X¹和X²为CH₂，

Y¹和Y²为S，

Z为COOR”，

W为H，

R¹和R²为C₇H₁₅，并且

R”具有下式

9.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中

X¹和X²为O，

Y¹和Y²为S，

Z为COOR”，

W为F或H，

R¹和R²具有下式：

并且R”为C₈H₁₇。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体聚合物的共轭物。

11.如权利要求1～9中任一项所述的半导体聚合物和受体材料的共轭物。

12.如权利要求11所述的半导体聚合物的共轭物，其中所述受体材料为富勒烯衍生物。

13.如权利要求12所述的半导体聚合物的共轭物，其中所述富勒烯衍生物为C₆₁或C₇₁。

14.如权利要求1～10中任一项所述的聚合物在太阳能电池、光学装置、电致发光装置、光伏电池、半导体电池或光电二极管中的应用。

15.如权利要求11～13中任一项所述的共轭物在太阳能电池、光学装置、电致发光装置、光伏电池、半导体电池、光电二极管或聚合物场效应晶体管中的应用。

16.一种光伏层，所述光伏层包含权利要求1～9中任一项所述的半导体聚合物。

17.一种式(IV)的半导体聚合物

其中，R为多氟烷基、多氯烷基或酯；

R¹为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基或杂芳氧基；

X为1～12的整数；并且

m为整数。