[发明专利]复合半透膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200980135760.0 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102149451A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 冈部淳;富冈洋树;边见昌弘 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | B01D71/28 | 分类号： | B01D71/28;B01D69/12;B01D71/70;C08J9/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 半透膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种复合半透膜，其中在微多孔性支持膜上形成有分离功能层，其特征在于，该分离功能层由(A)和(B)得到：
(A)硅化合物，其中具有烯属不饱和基的反应性基团以及水解性基团均与硅原子直接结合，
(B)除上述硅化合物之外的具有烯属不饱和基的化合物，
并且该分离功能层是这样形成的：
将(A)硅化合物的水解性基团缩合，并将(A)硅化合物与(B)具有烯属不饱和基的化合物的烯属不饱和基聚合。
2.根据权利要求1所述的复合半透膜，其特征在于，所述微多孔性支持膜的平均孔径为1～100nm。
3.根据权利要求1所述的复合半透膜，其中硅化合物(A)的水解性基团为烷氧基、烯氧基、羧基、酮肟基、卤原子或异氰酸酯基。
4.根据权利要求1所述的复合半透膜，其中硅化合物(A)由下述通式(a)表示：
Si(R1)m(R2)n(R3)4-m-n …通式(a)
R1表示含有烯属不饱和基的反应性基团；R2为烷氧基、烯氧基、羧基、酮肟基、卤原子或异氰酸酯基；R3表示氢原子或烷基；m、n为整数，m+n≤4，m≥1，且n≥1；在R1、R2、R3的每一个中，当两个以上的官能团与硅原子结合时，R1、R2、R3可以相同也可以不同。
5.一种制造复合半透膜的方法，其为在微多孔性支持膜上形成有分离功能层的复合半透膜的制造方法，其特征在于，这样形成该分离功能层：
涂布(A)和(B)：(A)硅化合物，其中具有烯属不饱和基的反应性基团以及水解性基团均与硅原子直接结合；(B)除上述硅化合物之外的具有烯属不饱和基的化合物；
将(a)硅化合物的水解性基团缩合，并且将(A)硅化合物与(B)具有烯属不饱和基的化合物的烯属不饱和基聚合。
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