[发明专利]包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘有效
申请号: | 200980135897.6 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN102150233A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 崔镇植;崔正德 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 用于 减小 应力 缓冲 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,包括:
具有穿透孔的主体;
设置在所述主体上的基板,在该基板上通过静电力紧固有衬底,所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极;
端子单元,其具有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子;以及
缓冲层,其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域,并吸收所述主体的热应力。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述主体包括传导性材料,所述端子单元包括设置在所述主体和在所述穿透孔中的端子之间的绝缘构件,使得所述缓冲层被设置在所述主体和所述绝缘构件之间的边界区域。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其中所述缓冲层还被设置在所述绝缘构件和所述基板之间的边界区域。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述基板和所述缓冲层包括基于陶瓷材料的材料。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其中所述缓冲层的孔隙度等于或者高于所述基板的孔隙度。
6.根据权利要求5所述的静电吸盘,其中所述缓冲层的孔隙度在大约2%至大约10%的范围内。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述缓冲层的厚度在大约100μm至大约250μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述缓冲层的表面粗糙度在大约0.1μm至大约2μm的范围内。
9.一种用于静电吸盘的端子单元,包括:
电连接到电源并给电极供电以产生静电力的端子;
局部包围住所述端子的绝缘构件,使得所述端子通过所述绝缘构件与周围环境电绝缘;以及
缓冲层,其设置在所述端子和所述绝缘构件的至少一个上且吸收从周围施加的热应力。
10.一种制造静电吸盘的方法,包括:
制备具有穿透孔的主体;
提供对应于所述穿透孔且具有缓冲层的端子单元,所述缓冲层用于吸收所述主体表面上的主体的热应力;
组合所述主体和所述端子单元,使得所述端子单元穿透所述穿透孔,并从所述主体的顶部表面突出;
在所述主体上形成下基板,使得所述端子的顶部表面暴露出来;
在所述下基板上形成电极,使得所述电极与所述暴露出来的端子单元形成接触;以及
在所述下基板和所述电极上形成上基板。
11.一种形成用于静电吸盘的端子单元的方法,包括:
形成穿透所述静电吸盘的主体且电连接到外部电源的端子;
将所述端子插入绝缘体中,使得所述端子的端部暴露出来;以及
在所述端子的暴露面上形成缓冲层,该缓冲层吸收从周围施加的热应力。
12.根据权利要求11所述的方法,其中形成所述缓冲层包括:
从所述端子上除去所述绝缘体,从而将所述端子的端部暴露出来;以及
将所述缓冲层涂覆在所述暴露出来的端子上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中涂覆所述缓冲层包括在所暴露出来的端子上进行常压等离子喷涂工艺。
14.根据权利要求11所述的方法,在形成所述缓冲层之后,还包括进行倒角工艺,从而使边沿部分成为圆形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造