[发明专利]侧壁形成工艺

权利要求书

1.一种用于在图案化的具有光刻胶特征的光刻胶掩模下的蚀刻层中形成特征的方法，所述光刻胶特征具有第一临界尺寸，所述方法包括：

实施多个侧壁形成工艺，所述多个侧壁形成工艺中的每一个包括：

通过实施多个周期性沉积在所述图案化的光刻胶掩模上沉积保护层，所述多个周期性沉积中的每一个包括：

沉积阶段，用于在所述图案化的光刻胶掩模的表面上沉积沉积层；和

轮廓成型阶段，包括在所述沉积层中形成垂直表面；以及

相对于所述沉积层的垂直表面选择性蚀刻所述保护层的水平表面；以及

蚀刻所述蚀刻层以在其中形成特征，所述蚀刻层中的特征具有比第一临界尺寸小的第二临界尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积阶段包括：

输送沉积气体；

使所述沉积气体产生等离子体；以及

停止输送所述沉积气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述轮廓成型阶段包括：

输送轮廓成型气体；

使所述轮廓成型气体产生等离子体；以及

停止输送所述轮廓成型气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中选择性蚀刻所述保护层的水平表面包括：

输送贯穿气体；

使所述贯穿气体产生等离子体；以及

停止输送所述贯穿气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述选择性蚀刻所述保护层的水平表面包括完全除去在所述图案化的光刻胶掩模的水平面上覆盖的部分保护层。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述选择性蚀刻所述保护层的水平表面包括部分除去在所述图案化的光刻胶掩模的水平面上覆盖的部分保护层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述保护层具有厚度为5nm至30nm的侧壁。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二临界尺寸比所述第一临界尺寸小至少约50％。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述保护层的沉积在所述图案化的光刻胶掩模顶部形成保护层。

10.根据权利要求6所述的方法，包括除去所述保护层和光刻胶掩模。

11.一种用于在图案化的具有光刻胶特征的光刻胶掩模下的蚀刻层中形成特征的装置，所述光刻胶特征具有第一临界尺寸，所述装置包括：

等离子体处理室，包括：

形成等离子体处理室外壳的室壁；

位于所述等离子体处理室外壳内的用于支持基底的基底支架；

在所述等离子体处理室外壳中的用于调节压力的压力调节器；

至少一个电极，用于向所述等离子体处理室外壳提供电力以维持等离子体；

进气口，用于提供气体进入等离子体处理室外壳；以及

出气口，用于从所述等离子体处理室外壳排出气体；

与所述进气口气流连接的气体源，包括：

沉积气体源；

轮廓成型气体源；

贯穿气体源；以及

特征蚀刻气体源；

可控连接所述气体源和所述至少一个电极的控制器，包括：

至少一处理器；以及

计算机可读介质，包括：

用于执行多个侧壁形成工艺的计算机可读代码；

用于执行所述多个侧壁形成工艺中的一个的计算机可读代码，包括：

用于通过实施多个周期性沉积在所述图案化的光刻胶掩模上沉积保护层的计算机可读代码；

用于实施多个周期性沉积中的一个的计算机可读代码，包括：

用于在所述图案化的光刻胶掩模的表面上沉积沉积层的沉积阶段的计算机可读代码；以及

用于在所述沉积层中形成垂直表面的轮廓成型阶段的计算机可读代码；以及

用于相对于所述沉积层的垂直表面选择性蚀刻所述保护层的水平表面的计算机可读代码；以及

用于蚀刻所述蚀刻层以在所述蚀刻层中形成特征的计算机代码，所述蚀刻层中的特征具有比第一临界尺寸小的第二临界尺寸。

12.根据权利要求11所述的装置，还包括：

用于输送沉积气体的计算机可读代码；

用于使所述沉积气体形成等离子体的计算机可读代码；以及

用于停止输送所述沉积气体的计算机可读代码。