[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶材

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，

镓固溶于氧化铟，

原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12，

铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上，

具有In₂O₃的方铁锰矿结构。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述Ga/(Ga+In)为0.001～0.10。

3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，所述Ga/(Ga+In)为0.005～0.08。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，所述方铁锰矿结构的晶格常数为以上且不到

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，密度为6.5～7.1g/cm³。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，体电阻为10mΩcm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，分散的Ga的集合体的直径小于1μm。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，正4价以上的金属离子的含量为100原子ppm以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，正2价以下的金属离子的含量为100原子ppm以下，且正4价的金属离子浓度≤正2价的金属离子浓度。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，添加有选自氧化钇、氧化钪、氧化铝及氧化硼中的1种或2种以上的氧化物。

11.根据权利要求10所述的氧化物烧结体，其特征在于，添加有0.01～5原子％的选自氧化钇、氧化钪、氧化铝及氧化硼中的1种或2种以上的氧化物。

12.权利要求1～11中任一项所述氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

以镓与铟的原子比为Ga/(In+Ga)＝0.001～0.12，对平均粒径小于2μm的铟化合物粉末和平均粒径小于2μm的镓化合物粉末进行混合的工序；

将所述混合物成形的工序；以及

在1200℃～1600℃，对所述成形体烧成2～96小时的工序。

13.根据权利要求12所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，在氧气氛中或加压下进行烧成。

14.一种溅射靶材，其特征在于，其由权利要求1～11中任一项所述氧化物烧结体构成。

15.一种氧化物薄膜，其特征在于，使用权利要求14所述的溅射靶材进行成膜而成。

16.一种氧化物薄膜，其特征在于，

镓固溶于氧化铟，

原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12，

铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上，

具有In₂O₃的方铁锰矿结构。

17.根据权利要求16所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.10。

18.根据权利要求16所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述原子比Ga/(Ga+In)为0.005～0.08。

19.根据权利要求16～18中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述方铁锰矿构造的晶格常数为以上且不到

20.根据权利要求16～19中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，分散的Ga的集合体的直径小于1μm。

21.根据权利要求16～20中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，含有选自氧化钇、氧化钪、氧化铝及氧化硼中的1种或2种以上的氧化物。

22.根据权利要求21所述的氧化物薄膜，其特征在于，添加有0.01～5原子％的选自氧化钇、氧化钪、氧化铝及氧化硼中的1种或2种以上的氧化物。

23.一种薄膜晶体管，其特征在于，使用了权利要求15～22中任一项所述的氧化物薄膜。