[发明专利]非易失性存储器阵列的最后字线的数据保持的改进

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储设备的方法，该方法包括：

执行多个非易失性存储元件的擦除，所述多个非易失性存储元件的集合包括数据非易失性存储元件和哑元非易失性存储元件，所述哑元非易失性存储元件是所述数据非易失性存储元件之一的邻居(1102)；

对所述数据非易失性存储元件进行编程，所述数据非易失性存储元件中的至少一部分由于因所述数据非易失性存储元件中的另一个的后续编程而产生的耦合作用而出现阈值电压的明显增加(1104)；以及

在对所述数据非易失性存储元件进行编程之后，将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件，所述编程电压将所述哑元非易失性存储元件的阈值电压增加到目标电平，该目标电平补偿由邻居非易失性存储元件在其它数据非易失性存储元件的编程期间所受到的较少耦合作用(1106)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件后不进行关于是否已达到所述哑元非易失性存储元件的目标阈值电压电平的任何验证。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，将仅单个编程脉冲施加至所述哑元非易失性存储元件。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件包括：将至少一个软编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，还包括：在执行所述擦除之后且在对所述数据非易失性存储元件进行编程之前，对所述非易失性存储元件组进行软编程，该软编程包括：将第一软编程电压施加至所述数据非易失性存储元件，而将第二软编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件，所述第二软编程电压小于所述第一软编程电压。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述非易失性存储元件的集合与漏极侧选择元件关联，所述哑元非易失性存储元件在所述漏极侧选择元件与所述邻居非易失性存储元件之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述数据非易失性存储元件进行编程包括：朝向所述漏极侧选择元件依次对所述数据非易失性存储元件进行编程。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

验证所述哑元非易失性存储元件是否已被编程为所述目标电平；

如果所述哑元非易失性存储元件尚未达到所述目标电平，将一个或多个附加编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件；以及

重复所述验证以及施加一个或多个附加编程电压，直到验证出所述哑元非易失性存储元件已被编程为所述目标电平。

9.一种非易失性存储设备，包括：

非易失性存储元件组(块i)，所述非易失性存储元件组的集合包括数据非易失性存储元件和哑元非易失性存储元件，所述哑元非易失性存储元件是所述数据非易失性存储元件之一的邻居；以及

与所述非易失性存储元件组通信的管理电路(220，242，230，240，242，244)，该管理电路执行对所述非易失性存储元件组的擦除，所述管理电路对所述数据非易失性存储元件进行编程，所述数据非易失性存储元件中的至少一部分由于因所述管理电路对所述数据非易失性存储元件中的另一个的后续编程而产生的耦合而出现阈值电压的明显增加，在对所述数据非易失性存储元件进行编程之后所述管理电路将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件，所述编程电压将所述哑元非易失性存储元件的阈值电压增加到目标电平，该目标电平补偿由邻居非易失性存储元件在其它数据非易失性存储元件的编程期间所受到的较少耦合。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储设备，其中，在将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件之后，所述管理电路不验证是否已经达到所述哑元非易失性存储元件的目标阈值电压电平。

11.根据权利要求9或10所述的非易失性存储设备，其中，所述管理电路仅将单个编程脉冲施加至所述哑元非易失性存储元件。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的非易失性存储设备，其中，所述管理电路将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件包括：所述管理电路将至少一个软编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件。