[发明专利]用于形成金属硅化物的方法及设备

权利要求书

1.一种形成金属硅化物材料于衬底上的方法，包括：

沉积金属材料于衬底的含硅表面上方；

沉积金属氮化物材料于该金属材料上方；以及

将该衬底暴露于无扩散退火处理，以形成金属硅化物材料。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在将该衬底暴露在无扩散退火处理以形成金属硅化物材料之前，沉积金属接触材料于该金属氮化物材料上方。

3.如权利要求1所述的方法，其中该无扩散退火处理包括激光退火处理或闪光灯退火处理。

4.如权利要求1所述的方法，其中该金属硅化物材料形成于该金属氮化物材料与该含硅表面之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中该无扩散退火处理是通过可使该金属氮化物与该含硅表面层不会发生反应的处理条件而执行的。

6.如权利要求1所述的方法，其中该将该衬底暴露于无扩散退火处理的步骤包括将该衬底暴露于约900℃至约1100℃的温度之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中该无扩散退火处理的时间小于约10毫秒。

8.如权利要求1所述的方法，其中该金属材料选自由钴、钛、钽、钨、钼、铂、镍、铁、铌、钯以及上述的组合所组成的群组。

9.如权利要求1所述的方法，其中该无扩散退火处理为激光退火处理，其包含施加介于约3x10⁴W/cm²至约1x10⁵W/cm²间的功率密度一段长约0.25至1毫秒间的驻留时间。

10.如权利要求9所述的方法，其中该激光退火处理的激光扫瞄速率介于25mm/sec至250mm/sec之间。

11.一种形成金属硅化物材料于衬底上的方法，包括：

形成栅电极堆迭结构，包括：

沉积多晶硅层于该衬底上方；

沉积钛层于该衬底上方；

沉积氮化钛层于该衬底上方；以及

沉积钨层于该衬底上方；以及

将该栅电极堆迭结构以无扩散退火处理进行退火，以形成硅化钛层。

12.如权利要求11所述的方法，其中在沉积氮化钛层于该衬底上方后，对该栅电极堆迭结构进行退火。

13.如权利要求11所述的方法，其中在沉积钨层于该衬底上方之后，对该栅电极堆迭结构进行退火。

14.如权利要求11所述的方法，其中该无扩散退火处理为激光退火处理，其包含施加介于约3x10⁴W/cm²至约1x10⁵W/cm²间的功率密度一段长约0.25至1毫秒间的驻留时间。

15.如权利要求11所述的方法，其中该激光退火处理的激光扫瞄速率介于25mm/sec至250mm/sec之间。