[发明专利]反射光学元件及其制造方法

权利要求书

1.一种工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻设备的反射光学元件的制造方法，该反射光学元件在基板上具有由至少两种交替材料构成且向所述基板施加应力的多层系统，所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部，并且其中所述多层系统与所述基板之间布置有一材料层，该材料层的厚度设定为抵消所述多层系统的应力，该方法的特征在于：能量为至少40eV的层形成粒子用于沉积抵消应力的所述层。

2.一种工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻设备的反射光学元件的制造方法，该反射光学元件在基板上具有第一多层系统，所述第一多层系统由至少两种交替材料构成且向所述基板施加层应力，所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部，而且所述反射光学元件在基板上具有第二多层系统，所述第二多层系统由至少两种交替材料构成且向所述基板施加相反的层应力，而且所述第二多层系统布置在所述基板与所述第一多层系统之间，其中构成所述第二多层系统的所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部，该方法的特征在于：能量为至少40eV的层形成粒子用于沉积所述第二多层系统的各层。

3.一种工作波长在软X射线和极紫外波长范围内、尤其用于EUV光刻设备的反射光学元件的制造方法，该反射光学元件在基板上具有第一多层系统，所述第一多层系统由至少两种交替材料构成且向所述基板施加层应力，所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部，而且所述反射光学元件在所述基板上具有第二多层系统，所述第二多层系统由至少两种交替材料构成且向所述基板施加相反的层应力，而且所述第二多层系统布置在所述基板与所述第一多层系统之间，其中构成所述第二多层系统的所述至少两种交替材料在所述工作波长具有不同的折射率实部，该方法的特征在于：中间层沉积在所述第一多层系统与所述第二多层系统之间，其中能量为至少40eV的粒子用于沉积所述中间层或用于光滑所述中间层。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于：采用能量至少为90eV的所述层形成粒子。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于：所述第二多层系统的各层、所述应力抵消层或所述中间层利用磁控溅射或离子束辅助溅射被沉积。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其特征在于：所述第二多层系统的各层、所述应力抵消层或所述中间层利用脉冲激光涂敷被沉积。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：采用两束激光，该两束激光被布置为它们的等离子体瓣彼此交叉。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其特征在于：所述应力抵消层、所述中间层或多层系统的层在被施加之后利用离子束被后处理。

9.一种反射光学元件，根据权利要求1、4到8中任一项所述的方法制造。

10.根据权利要求9所述的反射光学元件，其特征在于：多层系统(4)与所述基板(2)之间的层(5)为非晶。

11.根据权利要求9或10所述的反射光学元件，其特征在于：多层系统(4)与所述基板(2)之间的层(5)具有小于0.20nm的表面粗糙度。

12.根据权利要求9到11中任一项所述的反射光学元件，其特征在于：所述层(5)由非晶钼构成。

13.一种反射光学元件，根据权利要求3到8中任一项所述的方法制造。

14.根据权利要求13所述的反射光学元件，其特征在于：所述中间层(5)由硅构成。

15.根据权利要求13或14所述的反射光学元件，其特征在于：所述中间层(5)的厚度范围为从3nm到20nm。

16.根据权利要求13到15中任一项所述的反射光学元件，其特征在于：所述中间层(5)具有小于0.20nm的表面粗糙度。

17.一种反射光学元件，根据权利要求2、4到8中任一项所述的方法制造。

18.根据权利要求17所述的反射光学元件，其特征在于：在所述第二多层系统(6)中，在所述工作波长具有较低折射率实部的材料的层(61)为非晶。