[发明专利]成膜方法、成膜装置、压电膜、压电器件和液体排出装置

权利要求书

1.一种成膜方法，所述成膜方法在将基板和靶放置成相互面对的情况下，使用等离子体通过气相沉积技术在所述基板上形成含有所述靶的构成元素的膜，所述方法包括：

在距离所述靶的朝向所述基板的表面为2-3cm的地方，将在所述基板的面内方向上的等离子体空间中的等离子体电位Vs(V)的变动控制在±10V以内的情况下，进行成膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中在距离所述靶的朝向所述基板的表面为2-3cm的地方，将在所述基板的所述面内方向上的气体压力的变动控制在±1.5％内的情况下，进行成膜。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中所述气相沉积技术包括溅射。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜方法，其中所述膜包括压电膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中所述膜包含一种或两种以上由通式(P)表示的钙钛矿型氧化物作为主要组分：

ABO₃       (P)，其中A表示A位元素并且包含至少一种选自由Pb、Ba、Sr、Bi、Li、Na、Ca、Cd、Mg、K和镧系元素组成的组中的元素；B表示B位元素并且包含至少一种选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Mg、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、Ni、Hf和Al组成的组中的元素；以及O表示氧，并且其中所述A位元素、所述B位元素和所述氧元素的摩尔比为作为标准的1∶1∶3；然而，所述摩尔比可以在获得钙钛矿型结构的范围内不同于所述标准摩尔比。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中所述膜包含一种或两种以上由通式(P)表示的钙钛矿型氧化物，并且所述A位元素包含至少一种选自由Pb、Bi和Ba组成的组中的金属元素。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜方法，其中所述膜包含含Zn化合物。

8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中所述膜包含由通式(S)表示的含Zn氧化物：

In_xM_yZn_zO_{(x+3y/2+3z/2)}      (S)，其中M表示至少一种选自由In、Fe、Ga和Al组成的组中的元素，并且x、y和z全部都是大于0的实数。

9.一种成膜装置，所述成膜装置用于使用等离子体通过气相沉积在基板上形成含有靶的构成元素的膜，所述成膜装置包括：

真空容器，在所述真空容器中包括安置成相互面对的基板支架和靶支架；

等离子体产生装置，所述等离子体产生装置用于在所述真空容器内产生等离子体；和

气体引入装置，所述气体引入装置用于将要被等离子体化的气体引入到所述真空容器中，

其中在距离所述靶的朝向所述基板的表面为2-3cm的地方，将在所述基板的面内方向上的等离子体空间中的等离子体电位Vs(V)的变动控制在±10V内。

10.根据权利要求9所述的成膜装置，其中在距离所述靶的朝向所述基板的表面为2-3cm的地方，将在所述基板的所述面内方向上的气体压力的变动控制在±1.5％内。

11.根据权利要求9或10所述的成膜装置，其中所述气体引入装置包括：

环形气体喷射构件，所述环形气体喷射构件安置在所述真空容器中的所述基板支架和所述靶支架之间，所述气体喷射构件适于接收引入到其中的所述气体，所述气体喷射构件包括用于将所述气体喷射到所述真空容器中的多个气体喷射口；和

气体进料构件，所述气体进料构件连接到所述气体喷射构件，所述气体进料构件将所述气体从所述真空容器的外部进料到所述气体喷射构件中。

12.根据权利要求11所述的成膜装置，其中

所述气体进料构件包括以相等间隔连接到所述气体喷射构件的多个气体进料构件，并且

所述多个气体喷射口以相等间隔设置于所述气体喷射构件中。