[发明专利]压电振动元件及使用它的振荡电路无效

专利信息
申请号: 200980136974.X 申请日: 2009-08-31
公开(公告)号: CN102160279A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 相马弘之;福地盛吾;清水敏志 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32;H01L41/09;H03H9/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 振动 元件 使用 振荡 电路
【权利要求书】:

1.一种压电振动器,是与在集成电路上形成的振荡电路连接而使用的压电振动元件,其特征在于:

所述压电振动元件,

具有和所述集成电路的振荡电路形成的杂散电容Cs大致同等的负载电容CL或比所述杂散电容Cs大既定的电容量的负载电容CL;

使用电容元件,使所述压电振动元件的负载电容CL和该压电振动元件连接的振荡电路侧的负载电容匹配。

2.如权利要求1所述的压电振动器,其特征在于:

所述振荡电路所具有的杂散电容Cs,是大约1pF~大约4pF;

所述负载电容CL,是大约3pF~大约5pF。

3.一种振荡电路,具有在集成电路上形成的CMOS半导体电路和与该CMOS半导体电路连接的压电振动器,其特征在于:

所述压电振动器,具有和所述CMOS半导体电路形成的杂散电容Cs大致同等的负载电容CL或比所述杂散电容Cs大既定的电容量的负载电容CL,并且

具备用于使所述压电振动元件的负载电容CL和该压电振动元件连接的CMOS半导体电路侧的负载电容匹配的电容元件。

4.如权利要求3所述的振荡电路,其特征在于:

由所述CMOS半导体电路形成的杂散电容Cs,是大约1pF~大约4pF;

所述负载电容CL,是大约3pF~大约5pF。

5.如权利要求3或4所述的振荡电路,其特征在于:

所述CMOS半导体电路用CMOS反相器构成,具有在所述CMOS反相器的输入/输出端子之间连接的压电振动器、在所述CMOS反相器的输入端子和接地电位Vss之间连接的第1电容元件Cg、和在所述CMOS反相器的输出端子与接地电位Vss之间连接的第2电容元件Cd,并且

选定所述第1电容元件Cg和所述第2电容元件Cd的电容,以使所述压电振动器的负载电容CL满足

CL=Cs+Cg×Cd/(Cg+Cd)

的关系式。

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