[发明专利]有源矩阵OLED显示及其驱动器无效

专利信息
申请号: 200980137147.2 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN102165577A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: E·史密斯 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/417
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 oled 显示 及其 驱动器
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,所述显示器具有多个OLED像素,每个OLED像素都具有相关的像素驱动电路,所述显示器具有多个选择线和多个数据线以选择所述OLED像素并且将用于显示的数据写入所选择的所述OLED像素,其中每个所述像素驱动电路与所述选择线和所述数据线耦连,其中所述驱动电路包括被配置为驱动OLED的驱动晶体管并且还包括选择晶体管,该选择晶体管具有与所述选择线耦连的第一端子和与所述数据线耦连的第二端子,其中所述选择晶体管的所述第一端子和所述第二端子中的一个包括所述选择晶体管的栅极连接,并且所述选择晶体管的所述第一端子和第二端子中的另一个包括所述选择晶体管的漏极连接和源极连接中的一个,并且所述选择晶体管包括具有源极区、漏极区和栅极区的晶体管,其中所述栅极区至少部分地与所述源极区和所述漏极区重叠,并且所述栅极区与所述源极区和所述漏极区中的一个的所述重叠的面积大于与所述源极区和所述漏极区中的另一个的所述重叠的面积,使得所述栅极连接与所述漏极连接和所述源极连接中的一个之间的电容小于所述栅极连接与所述漏极和所述源极连接中的另一个之间的电容。

2.根据权利要求1的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述第二端子包括所述源极区和所述漏极区中的所述另一个。

3.根据权利要求1或2的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述源极区和所述漏极区中的所述一个具有至少部分地包围所述源极区和所述漏极区中的所述另一个的一对臂状物或突出物。

4.根据权利要求1、2或3的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述栅极区具有基本上精确的弓形的形状。

5.根据权利要求4的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中在横向平面内所述曲线的栅极区在单个方向上弯曲。

6.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中在所述栅极区与所述源极区和所述漏极区中的所述一个之间的电容是在所述栅极区与所述源极区和所述漏极区中的所述另一个之间的电容的至少1.5倍大。

7.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述选择晶体管具有第三端子,其中所述第三端子包括所述选择晶体管的所述漏极连接和源极连接中的所述另一个,并且所述选择晶体管在所述第一端子与所述第二端子之间的内部电容小于所述选择晶体管在所述第一端子和所述第三端子之间的内部电容。

8.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述选择晶体管具有至少1μm的沟道宽度,并且所述源极区和所述漏极区中的所述一个的最大横向尺寸比所述源极区和所述漏极区中的所述另一个的最大横向尺寸至少大2μm。

9.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述选择晶体管的所述第一端子包括所述选择晶体管的所述栅极连接并且所述选择晶体管的所述第二端子包括所述选择晶体管的所述漏极连接或源极连接。

10.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述显示器是顶发射显示器并且所述选择晶体管是底栅极晶体管。

11.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述像素驱动电路还包括被配置为驱动相关像素的OLED的所述驱动晶体管以及至少一个另外的晶体管,并且所述至少一个另外的晶体管具有所述曲线的栅极区。

12.根据权利要求11的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述另外的晶体管的内部的栅极-源极电容与所述另外的晶体管的内部栅极-漏极电容之比实质上不同于1∶1,所述比不同于1∶1使得与对于1∶1的所述比的在所述选择线上的电压摆动相比,在工作时所述电压摆动对来自所述数据线的在编程期间存储于所述像素电路内的像素发光值具有降低的影响。

13.根据以上权利要求中的任一权利要求的有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器,其中所述像素驱动电路包括电压控制的像素驱动电路,并且在所述数据线上的电压电平设置由所述像素驱动电路驱动的OLED的亮度。

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