[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

在衬底上彼此交叉的多条扫描线和多条信号线；

所述衬底上的像素部，所述像素部包括排列为矩阵的多个像素电极；

所述衬底的周边部的信号输入端子；以及

所述像素部和所述信号输入端子之间的非线性元件，

其中，所述像素部包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

包括沟道形成区域的第一氧化物半导体层；

连接到所述多条扫描线之一的栅电极；

连接所述多条信号线之一和所述第一氧化物半导体层的第一布线层；以及

连接所述多个像素电极之一和所述第一氧化物半导体层的第二布线层，

其中，所述非线性元件包括：

连接到所述多条扫描线之一或所述多条信号线之一的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述栅电极重叠；

所述第二氧化物半导体层上的沟道保护层，所述沟道保护层与所述第二氧化物半导体层的沟道形成区域重叠；

所述沟道保护层和所述第二氧化物半导体层上的第三布线层，其中所述第三布线层的端部与所述栅电极重叠，并且所述第三布线层包括第一导电层和第三氧化物半导体层的叠层；

所述沟道保护层和所述第二氧化物半导体层上的第四布线层，其中所述第四布线层的端部与所述栅电极重叠，并且所述第四布线层包括第二导电层和第四氧化物半导体层的叠层；以及

连接所述栅电极与所述第三布线层和所述第四布线层之一的第五布线层。

2.一种显示装置，包括：

在衬底上彼此交叉的多条扫描线和多条信号线；

所述衬底上的像素部，所述像素部包括排列为矩阵的多个像素电极；

连接所述多条扫描线之一和第一公共布线的第一保护电路；以及

连接所述多条信号线之一和第二公共布线的第二保护电路，

其中，所述像素部包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

包括沟道形成区域的第一氧化物半导体层；

连接到所述多条扫描线之一的栅电极；

连接所述多条信号线之一和所述第一氧化物半导体层的第一布线层；以及

连接所述多个像素电极之一和所述第一氧化物半导体层的第二布线层，

其中，所述第一保护电路和所述第二保护电路分别包括非线性元件，

其中，所述非线性元件包括：

连接到所述多条扫描线之一或所述多条信号线之一的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述栅电极重叠；

所述第二氧化物半导体层上的沟道保护层，所述沟道保护层与所述第二氧化物半导体层的沟道形成区域重叠；

所述沟道保护层和所述第二氧化物半导体层上的第三布线层，其中所述第三布线层的端部与所述栅电极重叠，并且所述第三布线层包括第一导电层和第三氧化物半导体层的叠层；

所述沟道保护层和所述第二氧化物半导体层上的第四布线层，其中所述第四布线层的端部与所述栅电极重叠，并且所述第四布线层包括

第二导电层和第四氧化物半导体层的叠层；以及

连接所述栅电极与所述第三布线层和所述第四布线层之一的第五布线层。

3.一种显示装置，包括：

衬底上的第一布线层；

所述衬底上的像素；以及

所述衬底上的保护电路，

其中，所述像素包括：

薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管的栅电极连接到所述第一布线层；以及

连接到所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的像素电极，

其中，所述保护电路包括：

所述第一布线层上的栅绝缘膜；

所述栅绝缘膜上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的沟道保护层；

所述第一氧化物半导体层和所述沟道保护层上的第二氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层和所述沟道保护层上的第三氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的第二布线层；

所述第三氧化物半导体层上的第三布线层；以及

连接所述第一布线层和所述第二布线层的第四布线层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的氧浓度高于所述第三氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层的氧浓度。