[发明专利]光纤及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980137197.0 申请日: 2009-08-21
公开(公告)号: CN102165345A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 大泉晴郎;田中正俊;八若正义;木下贵阳;桥本守 申请(专利权)人: 三菱电线工业株式会社
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036;C03B37/014;G02B6/00
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光纤 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种具备纤芯、第一包层和第二包层的光纤及其制造方法。

背景技术

除了具有纤芯和包层两层结构的光纤以外,具有多层包层、使弯曲损耗减少的光纤也正在实用化。

专利文献1中公开了一种单模光纤,其包括:采用溶液掺杂法掺杂有钴氧化物的石英玻璃的高吸收型外部包层玻璃、非吸收型内部包层玻璃和非吸收型纤芯玻璃。

专利文献1:日本公开特许公报特表2002-528757号公报

发明内容

本发明的光纤包括:纤芯、覆盖该纤芯设置且折射率比该纤芯低的第一包层、以及覆盖该第一包层设置且折射率比该第一包层低的第二包层,其中:

在所述第一包层中掺杂有光衰减掺杂剂,该光衰减掺杂剂的浓度从内周侧朝着外周侧增加。

本发明的光纤的制造方法是通过对具备纤芯形成部、覆盖该纤芯形成部的第一包层形成部、以及覆盖该第一包层设置的第二包层形成部的预制件(perform)进行拉丝来制造本发明的光纤的方法,其中:

该方法包括在形成第一包层形成部后,从该第一包层形成部的外周引入光衰减掺杂剂的工序。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的光纤的结构的立体图。

图2是表示本实施方式所涉及的光纤在纤维剖面的直径方向上的折射率分布图。

图3是表示本实施方式所涉及的光纤的信号光传输的说明图。

图4(a)和图4(b)是表示(a)基模和(b)高次模的信号光的光强分布图。

图5(a)~图5(c)是表示预制件的制作方法的说明图。

图6是表示现有技术中光纤的信号光传输的说明图。

图7是表示基模信号光的光强变化的说明图。

-符号说明-

10  光纤

11  纤芯

12  第一包层

13  第二包层

20  预制件

21  纤芯形成部

22  第一包层形成部

23  第二包层形成部

具体实施方式

以下根据附图对本实施方式进行详细说明。

图1表示本实施方式所涉及的光纤10。该光纤10是通信用光纤,例如连接在从光缆分支出的单模光纤上,特别是设置在受到弯曲而变形的部分上的光纤。

本实施方式所涉及的光纤10具有以下结构:从光纤中心依次呈同心圆状一体有纤芯11、第一包层12、第二包层13和支持层14。

纤芯11例如由掺杂有掺杂高折射率掺杂剂的石英形成,外径为8~10.2μm,优选8.2~10μm,折射率为1.460~1.462。应予说明,在本发明中,折射率是指在常温下、相对于标准空气的折射率。

作为高折射率掺杂剂,例如典型地可列举出锗(Ge),此外还可列举出磷(P)等。可以掺杂一种高折射率掺杂剂,也可以掺杂多种高折射率掺杂剂。优选高折射率掺杂剂的浓度为2.9~4.0质量%。

第一包层12例如由已掺杂有光衰减掺杂剂的石英形成,外径为30~45μm,优选30~40μm,折射率为1.450~1.454。优选第一包层12的外径与纤芯11的外径之比为2.9~5.5。

作为光衰减掺杂剂,例如可列举出羟基(OH)、氢(H2)等。其中从易于控制光的吸收的观点出发优选OH。可以掺杂一种光衰减掺杂剂,也可以掺杂多种光衰减掺杂剂。

光衰减掺杂剂掺入第一包层12中,浓度从第一包层12的内周侧朝着外周侧连续变高。另外,优选的,光衰减掺杂剂在第一包层12中的平均浓度为100~10000质量ppm。

第二包层13例如由已掺杂有低折射率掺杂剂的石英形成,外径为44~75μm、折射率为1.430~1.444。

作为低折射率掺杂剂,例如可列举出硼(B)、氟(F)等。可以掺杂一种低折射率掺杂剂,也可以掺杂多种低折射率掺杂剂。优选低折射率掺杂剂的浓度为2.0~25质量%。

支持层14例如由纯石英形成,外径为123~127μm(典型的为125μm)、折射率为1.450~1.454。

另外,以上结构的光纤10由未图示的树脂制被覆层所被覆,作为光纤芯线使用。

图2表示本实施方式所涉及的光纤10在纤维剖面的直径方向上的折射率分布。

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