[发明专利]发光装置、发光装置的生产方法、和含有该发光装置的显示器

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置、其生产方法和含有所述发光装置的显示器，更具体地，涉及诸如有机电致发光装置(有机EL装置)、无机电致发光装置(无机EL装置)和发光二极管(LED)，它们的生产方法，和含有所述发光装置的显示器。

背景技术

例如，在如图3所示的有机EL装置105中，从放在反射层101上的EL发光层102发射的光束在EL发光层102和密封层103之间的空间或在密封层103和外界104之间的空间反射，导致光提取效率降低。

此处，关于发生光折射的界面上的光反射率，当界面是平的时，反射率取决于光的入射角和共享界面的介质之间的折射率差异。例如，当它们之间的折射率差异大时，界面上的反射率变高。此外，当光以大于临界角的入射角从具有高折射率的介质行进至具有低折射率的介质时，100％的光被反射。

临界角θ_c是当光从具有高折射率的物质行进至具有低折射率的物质时光被全反射的最小入射角，且以下列等式：θ_c＝arcsin(n₂/n₁)表示，其中n₁表示光行经的物质的折射率；n₂表示光进入的物质的折射率；且n₂＜n₁。

图4是用于描述上述现象的说明性视图。在该图中，附图标记111和112分别表示具有折射率n₁的第一层和具有折射率n₂的第二层。此处，当光以相对于法线(标准线)的临界角θ_c的入射角行进至第一层和第二层之间的界面110时，光在界面110上全反射，因此不能从第二层112提取。另外，以相对于标准线的大于临界角θ_c的入射角θ_x行进的光也在界面110上全反射，因此不能从第二层112提取。

另外，以相对于标准线的小于临界角θ_c的入射角θ_y行进的光透过界面110从第二层112射到第一层111。

当光从高折射率介质射到低折射率介质时，光全反射的发光装置存在光提取效率低的问题。

有鉴于此，已提出具有多种结构的发光装置，由此尝试改进光提取效率。

已提出的一种发光装置是有机电致发光装置，包括阳极、阴极、一个或多个含有设置于电极之间的发光层的有机层和衍射光栅或波带片，其中衍射光栅或波带片设置于防止装置中界面上的全反射的位置(参见专利文献1)。

然而，在专利文献1公开的发光装置中，发射的光穿过低折射率层到达衍射光栅或波带片，因此对防止全反射产生限制。

此外，另一种已提出的发光装置在和发光表面相对的背表面上含有凹凸图案的散射层，其中散射层为了光提取而反射/散射从发光层穿过中间层射向发光表面的光(参见非专利文献1和2)。

如图5所示，一种常规已知的发光装置按此顺序包括含有发光部分204的发光层202、中间层205、和精细凹凸图案206，其中中间层和精细凹凸图案位于发光层202的第二表面203B上，所述表面和发光层的第一表面203A相对。

然而，这样的常规发光装置具有折射率不同的发光层和中间层(例如，发光层的折射率n：1.8，且中间层的折射率n：1.5)，因此产生从发光层202的光提取效率因全反射而低的问题。

具体地，从发光部分204射到发光层202的第二表面203B且入射角为大于临界角θ_c的θ_x的光束210a在第二表面203B全反射，且不能从发光部分204提取。

此外，在发光部分204和密封层207之间的界面上朝向第二表面203B全反射且入射角是大于临界角θ_c的θ_x的光束210b在第二表面203B全反射，且不能从发光部分204提取。

此外，在发光层202的第一表面203A上朝向第二表面203B全反射且入射角是大于临界角θ_c的θ_x的光束210c在第二表面203B全反射，且不能从发光部分204提取。

考虑到上面所述，对于改进了光提取效率(light-extraction efficiency)的发光装置存在需求。

引用列表

专利文献

PTL 1：日本专利No.2991183

非专利文献