[发明专利]硅氧化膜的形成方法和装置

权利要求书

1.一种硅氧化膜形成方法，在露出于被处理体的表面的硅上形成硅氧化膜，该硅氧化膜形成方法的特征在于，包括：

将所述被处理体载置到处理容器内的载置台上的工序；

对所述处理容器内供给含氧的处理气体，生成所述处理气体的等离子体的工序；

对所述载置台供给高频电力，对所述被处理体施加偏压的工序；和

使所述等离子体与施加了所述偏压的所述被处理体作用来将所述硅氧化，形成所述硅氧化膜的工序，其中

所述处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内，

在形成所述硅氧化膜的工序中，所述处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内，

所述高频电力的输出，设定在相对于所述被处理体的面积为0.14W/cm²以上2.13W/cm²以下的范围内。

2.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述高频电力的频率在100kHz以上60MHz以下的范围内。

3.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

在形成所述硅氧化膜的工序中，处理温度在室温以上600℃以下的范围内。

4.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述等离子体，是利用由具有多个缝隙的平面天线导入所述处理容器内的微波激发所述处理气体从而生成的微波激发等离子体。

5.如权利要求4所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述微波的功率密度，相对于所述被处理体的面积在0.255W/cm²以上2.55W/cm²以下的范围内。

6.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述处理气体，是Ar气体与O₂气体的混合气体。

7.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述处理气体中的氧的比例在0.5％以上2％以下的范围内。

8.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

在形成所述硅氧化膜的工序中，所述处理容器内的压力在6.7Pa以上133Pa以下的范围内。

9.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

所述高频电力的输出，设定在相对于所述被处理体的面积为0.23W/cm²以上1.2W/cm²以下的范围内。

10.如权利要求1所述的硅氧化膜形成方法，其特征在于，

在形成所述硅氧化膜的工序中，处理温度在200℃以上500℃以下的范围内。

11.一种硅氧化膜形成装置，包括：

使用等离子体对被处理体进行处理的上部开口的处理容器；

堵塞所述处理容器的所述开口的电介质部件；

设置在所述电介质部件的外侧，用于向所述处理容器内导入电磁波的天线；

与对所述处理容器内供给含氧的处理气体的气体供给机构连接的气体导入部；

与对所述处理容器内进行减压排气的真空泵连接的排气管；

在所述处理容器内载置所述被处理体的载置台；

与所述载置台连接的高频电源；和

控制部，其中，

所述控制部按照如下方式进行控制：通过所述气体供给机构对所述处理容器内供给所述含氧的所述处理气体，所述处理气体中的氧的比例在0.1％以上10％以下，所述处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下，从所述天线将所述电磁波导入所述处理容器内来生成所述含氧的处理气体的等离子体，并且，通过所述高频电源向所述载置台供给相对于所述被处理体的面积为0.14W/cm²以上2.13W/cm²以下的高频电力来对所述被处理体施加高频偏压，使所述含氧的处理气体的等离子体与露出在所述被处理体表面的硅发生作用，以在被处理体的表面形成硅氧化膜。