[发明专利]复合衬底上生长的半导体发光器件

权利要求书

1. 一种方法，包括：

在衬底上生长多个III族氮化物半导体结构，其中：

每个半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层；

该衬底包括基质、通过沟槽分开的多个III族氮化物材料的岛以及设置在基质与所述多个III族氮化物材料的岛之间的结合层；并且

每个半导体结构的发光层具有大于3.19埃的a晶格常数；以及

形成电连接所述III族氮化物半导体结构中的两个的导电材料。

2. 权利要求1的方法，其中形成导电材料包括在两个连接的III族氮化物半导体结构的至少一部分上形成金属层。

3. 权利要求2的方法，其中所述金属层电连接所述两个III族氮化物半导体结构的p型区。

4. 权利要求2的方法，其中所述金属层将所述两个III族氮化物半导体结构中的一个的p型区电连接到所述两个III族氮化物半导体结构中的另一个的n型区。

5. 权利要求1的方法，其中形成导电材料包括在基座上形成金属层并且将所述多个III族氮化物半导体结构连接到基座，使得该金属层电连接两个III族氮化物半导体结构。

6. 权利要求5的方法，进一步包括在将所述多个III族氮化物半导体结构连接到基座之后移除基质。

7. 权利要求1的方法，其中每个III族氮化物半导体结构具有小于500微米的长度。

8. 权利要求1的方法，其中每个沟槽具有5微米与50微米之间的宽度。

9. 一种器件，包括：

连接到基座的多个III族氮化物半导体结构，其中：

每个半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层；

邻近的半导体结构通过沟槽分开；并且

每个半导体结构的发光层具有大于3.19埃的a晶格常数；以及

设置在所述半导体结构中的两个之间的导电材料，其中该导电材料电连接所述III族氮化物半导体结构中的两个。

10. 权利要求9的结构，其中所述导电材料包括设置在两个连接的III族氮化物半导体结构的至少一部分上的金属层。

11. 权利要求10的结构，其中所述金属层电连接所述两个III族氮化物半导体结构的p型区。

12. 权利要求10的结构，其中所述金属层将所述两个III族氮化物半导体结构中的一个的p型区电连接到所述两个III族氮化物半导体结构中的另一个的n型区。

13. 权利要求9的结构，其中所述导电材料包括设置在基座上的金属层，其中该金属层将所述多个III族氮化物半导体结构连接到基座，使得该金属层电连接两个III族氮化物半导体结构。

14. 权利要求9的结构，其中：

所述导电材料包括设置在基座上的导电氧化物；并且

该基座包括陶瓷材料，该陶瓷材料适于吸收发光层发射的第一光并且发射具有与第一光不同的峰值波长的第二光。

15. 权利要求9的结构，其中每个III族氮化物半导体结构具有小于500微米的长度。

16. 权利要求9的结构，其中每个沟槽具有5微米与50微米之间的宽度。

17. 权利要求9的结构，进一步包括陶瓷材料，该陶瓷材料适于吸收发光层发射的第一光并且发射具有与第一光不同的峰值波长的第二光，其中该陶瓷材料设置在所述多个半导体结构的与基座相反的一侧。

18. 权利要求17的结构，进一步包括设置在所述多个半导体结构与所述陶瓷材料之间的导电氧化物。