[发明专利]透明导电膜制造用的氧化物烧结体无效
| 申请号： | 200980137493.0 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102171159A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 生泽正克;矢作政隆 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;H01B1/08;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 氧化物 烧结 | ||
【权利要求书】：
1.氧化物烧结体，其特征在于，以氧化铟为主成分，并含有选自镍、锰、铝和锗的1种以上作为第一添加元素，第一添加元素的含量的合计相对于铟和第一添加元素的合计量为2～12原子％。
2.氧化物烧结体，其特征在于，以氧化铟为主成分，并含有选自镍、锰、铝和锗的1种以上作为第一添加元素，含有锡作为第二添加元素，第一添加元素的含量的合计相对于铟、第一添加元素和锡的合计量为2～12原子％，锡的含量相对于铟和锡的合计量为2～15原子％。
3.非晶质膜的制造方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的氧化物烧结体作为溅射靶来进行溅射。
4.非晶质膜，其具有与权利要求1或2所述的氧化物烧结体相同的组成。
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