[发明专利]光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法

权利要求书

1.一种透射光谱纯度滤光片，配置成透射极紫外辐射，所述光谱纯度滤光片包括滤光片部分，所述滤光片部分具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔，其中每个孔通过各向异性蚀刻工艺制造。

2.根据权利要求1所述的滤光片，其中，所述滤光片部分的厚度小于20μm。

3.根据权利要求1所述的滤光片，其中，每个孔通过有织纹结构的侧壁限定。

4.根据权利要求1所述的滤光片，其中，所述滤光片部分选自以下组中的一个或多个：半导体部分、晶体半导体部分、掺杂半导体部分、涂覆后的半导体部分以及至少部分地改变后的半导体部分。

5.根据权利要求1所述的滤光片，其中，所述孔具有大约3μm到大约6μm范围内的周期。

6.一种透射光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片包括滤光片部分，所述滤光片部分包括聚酰亚胺，所述滤光片部分具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔。

7.根据权利要求6所述的透射光谱纯度滤光片，其中，所述孔中每一个通过侧壁限定，其中在所述滤光片部分的顶部表面和每个侧壁的至少一部分上设置金属层或反射层。

8.一种光刻设备，包括：

辐射源，配置成产生包括极紫外辐射的辐射；

照射装置，配置成将辐射调节成辐射束；

支撑结构，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成图案化所述辐射束；

投影系统，配置成将图案化辐射束投影到目标材料上；和

根据权利要求1或6所述的透射光谱纯度滤光片。

9.一种用于制造透射光谱纯度滤光片的方法，所述透射光谱纯度滤光片配置成透射极紫外辐射，所述方法包括步骤：

使用各向异性蚀刻工艺在衬底内蚀刻多个孔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻步骤形成限定所述孔的有织纹结构的侧壁。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括在衬底的顶部沉积金属或反射层和在每个侧壁的至少一部分上沉积所述金属或反射层。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括步骤：

提供具有蚀刻停止层的半导体衬底；和

使用各向异性蚀刻工艺以蚀刻穿过所述半导体衬底，使得所述孔到达所述蚀刻停止层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在已经在衬底内形成所述孔之后去除所述蚀刻停止层。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，所述蚀刻停止层设置在所述半导体衬底内，与两个衬底外表面间隔开。

15.一种用于制造透射光谱纯度滤光片的方法，所述方法包括步骤：

用激光器微加工聚酰亚胺衬底以形成多个孔，

其中所述微加工步骤形成限定孔的基本上垂直的侧壁。