[发明专利]制造用于亚毫米级导电栅格的具有亚毫米级开口的掩模的方法、具有亚毫米级开口的掩模和亚毫米级导电栅格

权利要求书

1.一种制备具有亚毫米级开口(10)、尤其是具有微米级开口的掩模(1)的方法，在基底(2)的主表面上，通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成亚毫米掩模，其特征在于，

-对于所述遮蔽层，将稳定并分散在溶剂中的胶体纳米颗粒的溶液沉积，该纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg；

-在低于所述温度Tg的温度下进行所述遮蔽层的干燥，直到获得被称为网络掩模的具有亚毫米级开口的二维网络的掩模，其具有基本上直的掩模区域边缘，该掩模位于被称为网络掩模区域的区域之上；

且特征在于，该方法包括通过机械和/或光学去除网络掩模区域的至少一个外部，在所述表面上形成无遮蔽的区域。

2.前一权利要求的制备具有亚毫米级开口的掩模(1)的方法，其特征在于，该溶剂是水性的，沉积表面优选是亲水性表面，纳米颗粒是聚合物的，优选为丙烯酸系共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或它们的共混物，和/或纳米颗粒是无机的，优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁。

3.权利要求1-2之一的制备具有亚毫米级开口的掩模(1)的方法，其特征在于，在50℃以下的温度、优选在环境温度下干燥该遮蔽层。

4.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模(1)的方法，其特征在于，所述干燥基本上不改变该胶体纳米颗粒的形状和尺寸。

5.一种基底(2)，在其主表面上承载有：

-具有亚毫米级开口(1，10)的网络掩模，其具有基本上直的掩模区域边缘，掩模包括多层可辨别的纳米颗粒，掩模位于被称为网络掩模区域的区域之上；和

-至少一个无遮蔽的区域(20-24)，其与网络掩模相邻并接触。

6.前一权利要求的基底，该网络掩模的厚度在1和100微米之间，尤其是在2和50微米之间。

7.权利要求5-6之一的基底，该网络掩模(1)的开口之间的距离(B)与开口的亚毫米级宽度(A)之比为7-40，和/或宽度(A)为200nm-50μm，开口之间的距离(B)为5和500μm之间。

8.一种在基底(2)的主表面上制造亚毫米级导电格栅(5)的方法，其依次包括：

-沉积导电材料，

-在该表面上，穿过权利要求5-7之一的网络掩模的开口(10)或由权利要求1-4之一的方法获得的网络掩模的开口(10)、直到该开口深度的一部分被填充，

-和在无遮蔽的区域(20-24)上，

-去除网络掩模，露出亚毫米级导电格栅。

9.前一权利要求的制造格栅的方法，其特征在于，该网络掩模(1)通过液体途径，尤其是使用溶剂、优选使用含水溶剂来去除。

10.一种基底(2)，在其主表面上承载有无规则的亚毫米级格栅(5)，该格栅(5)由导电材料制成，并具有由所述导电材料制得的固体导电区域，该固体导电区域与由权利要求8-9之一的制造方法所获得的格栅相邻并且接触。

11.前一权利要求的承载有无规则格栅(5)的基底(2)，其特征在于，该格栅的线条之间的间距(50)与该线条的亚毫米级宽度之比为7-40。

12.权利要求10-11之一的承载有格栅(5)的基底(2)，其特征在于，该格栅在至少一个方向上、优选在两个方向上具有非周期性的或无规则的结构。

13.权利要求10-12之一的承载有格栅(5)的基底(2)，其特征在于，该导电格栅具有0.1-30欧姆/平方的薄膜电阻。

14.权利要求10-13之一的承载有格栅(5)的基底(2)，其特征在于，覆盖有所述格栅的基底的透光率大于70％，尤其是70％-86％，和/或在给定的IR谱带中，覆盖有所述格栅的基底的透光率大于70％，尤其是70％-86％；和/或在给定的UV谱带中，该覆盖有所述格栅的基底的透光率大于70％，尤其是70％-86％。

15.权利要求10-14之一的具有相邻的固体导电区域的导电格栅(5)用于以下方面的用途：作为活性层、尤其是发热格栅或电极，用于具有可变光学和/或能量特性的电化学和/或电控设备，尤其用于液晶设备或光生伏打设备、或发光设备，尤其是有机或无机发光设备、或加热设备、或任选的放电灯，尤其是平面放电灯、UV放电灯，尤其是平面UV放电灯、电磁屏蔽设备、或任何需要有与该相邻区域接触的导电层的其它设备，尤其是透明的导电层。