[发明专利]用于在微结构化部件之间制造间隔的导电连接的接触装置

权利要求书

1.一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的连接的接触装置（3a，3b），

其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电的间隔层（32），并且

其中接触装置（3a，3b）至少设置在所述晶片（1，4）之一上，

其特征在于，

所述接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且

第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽（34）的上边缘。

2.根据权利要求1所述的接触装置，其中第一材料（33）作为层施加在所述沟槽（34）的内侧的表面上以及所述间隔层（32）的背离连接接触部（30）的外侧的表面上。

3.根据权利要求1所述的接触装置，其中所述第一材料（36）填满所述沟槽（34）并且并不施加在所述间隔层（32）的背离连接接触部（30）的外侧的表面上。

4.根据权利要求1至3之一所述的接触装置，其中所述第一材料（33，36）选自金、硅、锗、铝、铜、锡和/或铟构成的组。

5.一种部件装置，包括第一晶片（1）和与第一晶片连接的第二晶片（4），

其中第一晶片（1）包括微结构化的第一部件（2），并且第二晶片（4）包括微结构化的第二部件（5），

其中第一晶片（1）包括根据权利要求1至4之一所述的第一接触装置（3a，3b），并且

其中第二晶片（4）包括与第一接触装置（3a，3b）连接的第一对应接触部（6a，6b），该第一对应接触部带有能够用于金属-金属化合物的第二材料，并且

其中此外第一材料和能够用于金属-金属化合物的第二材料彼此形成连接。

6.根据权利要求5所述的部件装置，其中根据权利要求1至4之一所述的第一接触装置（3a）环绕地包围第一晶片（1）的一个区段，

其中相应地构建的第一对应接触部（6a）环绕地包围第二晶片（4）的一个区段，

其中环绕的第一接触装置（3a）在形成至少部分闭合的腔的情况下与环绕的第一对应接触部（6a）形成连接，并且

其中此外在环绕地包围的区段内在第一晶片（1）上设置有根据权利要求1至4之一所述的第二接触装置（3b），该第二接触装置与该区段内的微结构化的第一部件（2）连接并且与第二晶片（4）上的相应的第二对应接触部（6b）连接。

7.根据权利要求5或6所述的部件装置，其中所述第二部件（5）是微电子机械部件，并且第一部件（2）包括用于对微电子机械部件进行控制和/或信号处理的集成电路，并且其中此外存在第一部件（2）和第二部件（5）通过在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间的连接而被封装。

8.根据权利要求7所述的部件装置，其中所述微电子机械部件是惯性传感器。

9.根据权利要求5至8之一所述的部件装置，其中在根据权利要求1至4之一所述的接触装置（3a，3b）和相应的对应接触部（6a，6b）之间的连接借助金-硅共晶体、铝-锗共晶体、锡-铟共晶体、借助铜和锡的固体-液体互扩散接合或者铜的热压接合来实现。

10.一种用于制造根据权利要求1至4之一所述的接触装置的方法，包括在晶片（1）上提供连接接触部（30）的步骤，在连接接触部（30）上施加钝化层（31），将钝化层（31）上沉积的介电的间隔层（32）结构化，其中构建沟槽（34）以及至少部分地在沟槽（34）中沉积能够用于形成金属-金属化合物的第一材料（33，36），其中所述沟槽（34）作为从间隔层（32）到连接接触部（30）的连续沟槽来结构化，并且其中第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）直到沟槽（34）的上边缘地沉积。