[发明专利]单片集成太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池组件，包括：

非导电衬底；

设置在衬底上方的以电气方式互相连接的多个太阳能电池，太阳能电池中的至少一个包括：

反射电极，设置在衬底上方；

硅层堆叠，包括设置在反射电极上方的n掺杂层、设置在n掺杂层上方的本征层和设置在本征层上方的p掺杂层；和

透光电极，设置在硅层堆叠上方；以及

设置在电池之间的上分离间隙，上分离间隙使太阳能电池中的透光电极彼此电气分离，其中太阳能电池之一的透光电极以电气方式连接到另一太阳能电池的反射电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中多个太阳能电池包括以电气方式串联连接的至少25个太阳能电池。

3.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中上分离间隙在太阳能电池中的透光电极之间露出硅层堆叠。

4.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中当相邻太阳能电池中的反射电极和透光电极之间的电压差在-0.1和0.1伏特之间时，在分离间隙中在透光电极之间延伸的硅层堆叠的区域具有至少大约1000欧姆＊cm²的面积比电分流电阻。

5.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中当相邻太阳能电池中的反射电极和透光电极之间的电压差在-0.1和0.1伏特之间时，在分离间隙中在透光电极之间延伸的硅层堆叠的区域具有至少大约500欧姆＊cm²的面积比电分流电阻。

6.如权利要求1所述的太阳能电池组件，还包括：设置在反射电极和硅层堆叠之间的缓冲层。

7.如权利要求1所述的太阳能电池组件，还包括：设置在太阳能电池之间的下分离间隙，下分离间隙使太阳能电池中的反射电极彼此电气分离。

8.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中硅层堆叠设置为微晶硅层堆叠。

9.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中硅层堆叠包括n掺杂层、本征层和p掺杂层的底部层堆叠，硅层堆叠还包括设置在底部层堆叠上方的顶部层堆叠，顶部层堆叠包括顶部堆叠n掺杂层、设置在顶部堆叠n掺杂层上方的顶部堆叠本征层和设置在顶部堆叠本征层上方的顶部堆叠p掺杂层。

10.如权利要求9所述的太阳能电池组件，还包括：设置在底部层堆叠和顶部层堆叠之间的夹层，夹层至少部分地把入射光反射回至顶部层堆叠。

11.如权利要求9所述的太阳能电池组件，其中底部层堆叠的本征层是SiH₂的含量为大约2.5原子％或更小的非晶本征层。

12.如权利要求1所述的太阳能电池组件，其中所述本征层的SiH₂的含量为大约2.5原子％或更小。

13.如权利要求1所述的太阳能电池组件，还包括：设置在太阳能电池之间的硅层间间隙，硅层间间隙使相邻太阳能电池中的透光电极分离，其中硅层间间隙包括具有圆形烧蚀标记的基本上直线的激光划片线。

14.一种制造具有以电气方式互相连接的多个太阳能电池的太阳能电池组件的方法，该方法包括：

设置衬底、反射电极、硅层堆叠和透光电极，硅层堆叠包括设置在反射电极上方的n掺杂层、设置在n掺杂层上方的本征层和设置在本征层上方的p掺杂层；和

去除透光电极的部分以便使太阳能电池中的透光电极彼此电气分离，其中通过使透光电极从太阳能电池组件的与衬底相对的一侧暴露于图形化技术以去除所述部分。

15.如权利要求14所述的方法，其中图形化技术包括激光。

16.如权利要求14所述的方法，其中图形化技术包括脉冲持续时间为大约1000皮秒或更短的激光。

17.如权利要求14所述的方法，其中图形化技术包括脉冲持续时间为大约30纳秒或更短的激光。

18.如权利要求14所述的方法，其中去除透光电极的部分的步骤使太阳能电池之间的硅层堆叠的区域露出，当相邻太阳能电池中的反射电极和透光电极之间的电压差在-0.1和0.1伏特之间时，该露出的区域具有至少大约1000欧姆＊cm²的面积比电阻。