[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：具有芯片焊盘部的引线框或电路基板、搭载于前述引线框的芯片焊盘部或前述电路基板的一个以上的半导体元件、使设置于前述引线框或前述电路基板的电接合部与设置于前述半导体元件的电极焊盘电连接的铜线、以及使前述半导体元件与前述铜线密封的密封材料，

并且，

前述铜线的线径是25μm以下，

前述铜线在铜线表面上具有由含钯的金属材料所构成的包覆层，

前述密封材料是由含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)填充材料、(D)含硫原子化合物的环氧树脂组合物的固化物构成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，将前述环氧树脂组合物的固化物在125℃、相对湿度100％RH、20小时的条件下进行提取的提取水中的氯离子浓度是10ppm以下。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述铜线的芯线中的铜纯度是99.99质量％以上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述包覆层的厚度是0.001～0.02μm。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物是含有选自于由巯基和硫键构成的组中的至少一种原子团的化合物。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物，是含有选自于由氨基、羟基、羧基、巯基和含氮杂环构成的组中的至少一种原子团和选自于由巯基和硫键构成的组中的至少一种原子团的化合物。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物是选自于由三唑类化合物、噻唑啉类化合物和二噻烷类化合物构成的组中的至少一种化合物。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物是具有1，2，4-三唑环的化合物。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物是下式(1)表示的化合物：

式(1)中，R¹表示：氢原子；或者，巯基、氨基、羟基或者具有这些官能团的烃基。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(D)含硫原子化合物是下式(2)表示的化合物：

式(2)中，R²和R³分别独立地表示：氢原子；或者，巯基、氨基、羟基或具有这些官能团的烃基。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述(A)环氧树脂含有选自于由下式(3)、(4)、(5)、(6)表示的环氧树脂所构成的组中的至少一种环氧树脂，

式(3)中，存在的多个R¹¹分别独立地表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，n¹的平均值是0或5以下的正数；

式(4)中，存在的多个R¹²和R¹³分别独立地表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，n²的平均值是0或5以下的正数；

式(5)中，Ar¹表示亚苯基或亚萘基，当Ar¹是亚萘基时，缩水甘油醚基的键合位置是α位或是β位，Ar²表示亚苯基、联亚苯基或亚萘基，R¹⁴和R¹⁵分别独立地表示碳原子数为1～10的烃基，a是0～5的整数，b是0～8的整数，n³的平均值是1以上并且3以下的正数；

式(6)中，R¹⁶表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，当存在多个R¹⁶时，相互之间相同或相异，R¹⁷分别独立地表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，c和d分别独立地表示0或1，e是0～6的整数。