[发明专利]制造涂有上层栅格的亚毫米导电栅格的方法以及涂有上层栅格的亚毫米导电栅格

权利要求书

1.一种用于在基板(2)的主面上制造涂有上层栅格(4)的亚毫米导电栅格(3)的工艺，包括：

-在所述主面上产生被称为网络掩模的具有亚毫米开口的掩模(1)，包括：

-通过稳定且散布于溶剂中的胶体聚合物纳米颗粒的溶液沉积掩模层，所述聚合物颗粒具有给定的玻璃态转化温度T_g；

-在低于所述温度T_g的温度对所述遮蔽层进行干燥，直到获得具有开口(10)的网络的掩模，所述开口(10)具有掩模区域的基本为直线的边缘；

-通过所述网络掩模形成所述导电栅格，包括沉积被称为栅格材料的至少一种导电材料，直到填充所述开口的深度的一小部分；

-在大于或等于0.8倍T_g的温度下利用栅格材料对所述遮蔽层进行热处理，导致所述掩模区域收缩，从而在所述掩模区域的边缘和所述栅格的侧边缘(31)之间产生空间；

-在所述栅格上以及所述掩模区域(1)的边缘和所述栅格的侧边缘(31)之间的空间中沉积由所谓覆盖层材料的材料制成的被称为覆盖层的层；

-去除所述遮蔽层，直到显露出涂有所述上层栅格(4)的所述导电栅格(3)。

2.根据前述权利要求所述的工艺，其特征在于，所述工艺包括通过所述开口(10)且在所述栅格(3)下沉积被称为下层栅格的层(5)，尤其是用于栅格粘着的下层栅格、作为碱金属屏障的下层栅格、颜色变深的下层栅格。

3.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其特征在于，在低于或等于180℃，更优选低于或等于150℃的温度下执行热处理。

4.根据前述权利要求之一所述的工艺，其特征在于，在低于或等于50℃的温度，优选在环境温度下执行所述干燥。

5.根据前述权利要求之一所述的工艺，其特征在于，在同一沉积室中执行栅格(3)的沉积、所述热处理和上层栅格(4)的沉积，而不破坏真空。

6.根据前述权利要求之一所述的工艺，其特征在于，从以下聚合物中选择所述聚合物纳米颗粒：丙烯酸共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或其混合物。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的工艺，其特征在于，所述溶液是含水的。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的工艺，其特征在于，通过液体途径，尤其通过溶剂去除所述遮蔽层。

9.一种基板(2)，尤其是透明基板，在其主面上承载通过根据权利要求1到8之一所述的制造工艺获得的涂有上层栅格(4)的亚毫米导电栅格(3)。

10.根据前述权利要求所述的具有带涂层栅格(3)的基板(2)，其特征在于，所述上层栅格(4)包括防腐蚀层，尤其是NiCr、Cr，且其特征在于，优选提供尤其由上层栅格材料制成的防腐蚀下层栅格(5)。

11.根据权利要求9和10中任一项所述的具有带涂层栅格(3)的基板(2)，其特征在于，所述基板包括下层栅格，所述下层栅格是碱金属屏障，或用于促进栅格尤其是NiCr的粘着。

12.根据权利要求9到11之一所述的具有带涂层栅格(3)的基板(2)，其特征在于，所述上层栅格(4)包括颜色变深的层，反射纯度Pe小于10％，反射主波长大约为480nm，尤其是一层NiCr，且其特征在于，优选提供尤其由上层栅格材料制成的颜色变深的下层栅格(5)。

13.根据权利要求9或之一所述的具有带涂层栅格的基板，其特征在于，所述上层栅格(3)材料由所述栅格(4)材料制成。

14.根据权利要求9到13之一所述的具有带涂层栅格(3)的基板(2)，其特征在于，所述栅格的线间距离(B’)与所述线的亚毫米宽度(A’)之比介于7和40之间，和/或宽度A’介于200nm和50μm之间，距离B’介于5和500μm之间。

15.根据权利要求9到14之一所述的具有带涂层栅格的基板，其特征在于，所述导电栅格(3，4)的表面电阻介于0.1和30欧姆/平方之间。

16.根据权利要求9到15之一所述的具有带涂层栅格(3)的基板(2)，其特征在于，所述基板(2)和所述带涂层栅格的光透射和/或在紫外线和/或红外线区域的透射介于70％和86％之间。