[发明专利]用于物理气相沉积腔室的遮盘有效
申请号: | 200980138000.5 | 申请日: | 2009-09-21 |
公开(公告)号: | CN102160146A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | K·M·布朗;J·舒浩勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 物理 沉积 | ||
1.一种遮盘(shutter disk),包含:
一碟状主体,该主体包含:
一顶表面;
一底表面;
一外径部(outer diameter),设置于该顶表面及该底表面之间;以及
一双重梯部,连接该底表面至该外径部。
2.如权利要求1所述的遮盘,其中该双重梯部更包含:
一外梯部及一内梯部,该外梯部相对于该内梯部更延伸进入该主体。
3.如权利要求2所述的遮盘,其中该主体更包含:
一外壁,连接该外梯部至该内梯部,且该外壁实质平行于该主体的一中心线。
4.如权利要求3所述的遮盘,其中该内梯部及该外梯部实质垂直于该主体的该中心线。
5.如权利要求1所述的遮盘,其中该主体更包含:
一环状沟槽,形成于该底表面中而设置在该双重梯部的径向内侧。
6.如权利要求5所述的遮盘,其中该双重梯部更包含:
一外梯部及一内梯部,该外梯部延伸进入该主体的程度大于该内梯部,但少于该环状沟槽。
7.如权利要求1所述的遮盘,其中该主体更包含:
一盲孔,形成于该主体的该底表面中,且该盲孔的一中心线与该主体的一中心线为共直线(co-linear)。
8.如权利要求1所述的遮盘,其中该主体是由铝、铝合金、铝硅合金、金属复合材料及铝硅(AlSi)的至少其中之一所制成;且其中该主体的该顶表面涂覆有一铝涂层。
9.如权利要求1所述的遮盘,其中该主体更包含:
一倾斜表面,耦接该外径部至该顶表面。
10.如权利要求9所述的遮盘,其中该主体更包含:
一盲孔,形成于该主体的该底表面中,且该盲孔的一中心线与该主体的一中心线为共直线。
11.如权利要求9所述的遮盘,其中该双重梯部更包含:
一外梯部及一内梯部,该内梯部相较于该外梯部而更延伸进入该主体中。
12.一种遮盘,包含:
一碟状主体,该主体包含:
一顶表面;
一底表面;
一外径部,设置于该顶表面及该底表面之间;
一外梯部,形成于该底表面上;
一内梯部,形成于该底表面上而位于该外梯部的内侧,该外梯部较该内梯部而更延伸进入该主体;
一外壁,连接该外梯部至该内梯部,且该外壁实质平行于该主体的一中心线;以及
一环状沟槽,形成于该底表面中而位于该内梯部的径向内侧。
13.如权利要求12所述的遮盘,其中该内梯部与该外梯部实质垂直于该主体的该中心线,且该外梯部延伸进入该主体的程度大于该内梯部,但少于该环状沟槽。
14.如权利要求13所述的遮盘,其中该主体更包含:
一盲孔,形成于该主体的该底表面中,且该盲孔的一中心线与该主体的一中心线为共直线。
15.如权利要求13所述的遮盘,其中该主体是由铝、铝合金、铝硅合金、金属复合材料及铝硅(AlSi)中的至少其中之一所制成;以及
其中该顶表面的平均粗糙度介于约600至约800Ra间,且该顶表面涂覆有一双弧喷涂铝涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造