[发明专利]以微波等离子体生产介电层的设备和方法

权利要求书

1.一种微波等离子体设备，包括可连接到微波发生器(20)的至少一个电极(21、22、23)，其中所述至少一个电极(21、22、23)包括由导电材料制成的同轴内导体(21)以及由导电材料制成的同轴外导体(22)，同轴外导体(22)至少部分地包围同轴内导体且与同轴内导体分隔开；以及连接至所述同轴内导体(21)的等离子体激发设备(23)；其特征在于，

所述同轴外导体(22)包括至少一个第一区(31)，在所述第一区(31)中所述同轴外导体沿着所述同轴内导体的长轴完全包围同轴内导体，且所述同轴外导体包括至少一个另一区(32)，在所述另一区(32)中其部分包围所述同轴内导体(21)以使在所述至少一个电极(21、22、23)连接至所述微波发生器(20)时，由所述微波发生器(20)生成的所述微波辐射可从所述至少一个另一区(32)基本垂直于所述同轴内导体(21)的长轴排出。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少一个另一区(32)沿着所述同轴内导体(21)的长轴被非导电材料(11)包围。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述非导电材料(11)为石英玻璃、氧化铝、或者蓝宝石。

4.如权利要求2或3所述的设备，其特征在于，所述非导电材料(11)形成为空心圆柱体。

5.如权利要求2、3或4所述的设备，其特征在于，所述非导电材料(11)包围所述电极(21、22、23)的一端。

6.如权利要求2至5的任一项所述的设备，其特征在于，在所述非导电材料和所述至少一个另一区(32)之间形成空间，在环境压力下的环境空气包含在所述空间中。

7.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述同轴外导体在至少一个另一区(32)中形成，以使所述同轴外导体在所述至少一个另一区(32)的一端处完全包围所述同轴内导体(21)，且所述同轴外导体从所述至少一个另一区的所述一端到至少一个另一部分区(32)的另一端持续变细。

8.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，在所述至少一个另一区(32)中，所述同轴外导体(22)包括沿着所述同轴内导体长轴的至少两个开口。

9.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述同轴外导体包括在所述至少一个另一区(32)中的具有椭圆或菱形形状的开口(22a、22b、22c)。

10.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述同轴内导体(21)在其端部处具有弯曲形状。

11.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述微波发生器(20)电连接至所述同轴导体(21、22)。

12.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述微波发生器(20)包括约为2.45GHz或5.4GHz或915MHz的微波频率。

13.如以上权利要求的任一项所述的设备，其特征在于，所述激发设备(23)形成为线性赫兹振荡器，其中所述线性赫兹振荡器的波长对应于所述微波发生器(23)波长的一半和/或其整数倍。

14.一种用于半导体处理的设备，包括

被金属箱(10)包围的处理腔体，其中所述金属箱(10)包括用于插入半导体衬底的可关闭开口；

置于所述处理腔体中的衬底支架(14a)，其用于支持所述半导体衬底(15)；

置于所述处理腔体中的至少一个隔离管(11)，其用于容纳根据权利要求1-13的任一项的所述至少一个电极(21、22、23)的所述至少一个另一部分(32)；

用于引入处理气体的至少一个开口(18)；以及

用于排出处理气体的至少一个另一开口(19)。

15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述另一开口(19)连接至真空泵。

16.如权利要求14或15所述的设备，其特征在于，可在1毫托至20托之间调节所述处理腔体中的所述处理气体的压力。

17.如权利要求14至16的任一项所述的设备，其特征在于，还包括用于测量在所述衬底支架(14a)的所述衬底支持区中被支持的半导体衬底(15)的温度的至少一个温度测量设备。