[发明专利]高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜

权利要求书

1.一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其纯度为6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自为1ppm以下，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下。

2.如权利要求1所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为15000个/g以下。

3.如权利要求1所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夹杂物为15000个/g以下。

4.如权利要求1至3中任一项所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其特征在于，所述非金属夹杂物中碳或碳化物所占的比例为50％以下。

5.一种高纯度铜溅射靶的制造方法，其特征在于，使用纯度为6N以上、P、S、O、C各成分的含量各自为1ppm以下、粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下的高纯度铜原料，将该原料通过冷坩锅熔炼法或真空电弧重熔法进行熔炼，使得纯度为6N以上、碳含量为1ppm以下、粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下。

6.一种高纯度铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使用权利要求5的高纯度铜原料，在该原料中加入合金成分，通过冷坩锅熔炼法或真空电弧重熔法进行熔炼，使得纯度为6N以上、碳含量为1ppm以下、粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下。

7.如权利要求5或6所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使得粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为15000个/g以下。

8.如权利要求5至7中任一项所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，使得粒径0.5微米以上且20微米以下的包含碳或碳化物的夹杂物为15000个/g以下。

9.如权利要求5至8中任一项所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，所述非金属夹杂物中碳或碳化物所占的比例为50％以下。

10.一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜，其特征在于，粒径0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒数为10个/平方英寸以下。

11.如权利要求10所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜，其特征在于，粒径0.05微米以上的碳或碳化物的粉粒数为5个/平方英寸以下。

12.一种半导体器件，具有权利要求10或11所述的高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜作为铜布线。