[发明专利]具有增强调谐范围的变容二极管无效
| 申请号： | 200980138253.2 | 申请日： | 2009-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102165597A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | A·拉特纳古玛尔;Q·向;J·X·唐 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增强 调谐 范围 变容二极管 | ||
1.一种变容二极管，其包括：
半导体本体；
具有p+栅极导体的栅极；以及
在本体中与所述p+栅极导体相邻的至少一个n+接触区域。
2.根据权利要求1所述的变容二极管，其进一步包括所述p+栅极导体与所述本体之间的栅极绝缘体。
3.根据权利要求2所述的变容二极管，其中，所述栅极绝缘体包括二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述本体包括一部分硅晶片。
5.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述p+栅极导体包括一层多晶硅。
6.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述至少一个n+接触区域包括n+离子注入区域。
7.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述至少一个n+接触区域包括所述p+栅极导体相对两侧上的源极n+区域和漏极n+区域。
8.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述至少一个n+接触区域包括与所述p+栅极导体的相对两端相邻的源极n+区域和漏极n+区域，并且其中所述p+栅极导体包括p+多晶硅。
9.根据权利要求8所述的变容二极管，其进一步包括连接到所述源极n+区域和漏极n+区域的第一端子。
10.根据权利要求9所述的变容二极管，其进一步包括连接到所述栅极导体的第二端子。
11.根据权利要求1所述的变容二极管，其进一步包括连接到所述n+接触区域的第一端子。
12.根据权利要求11所述的变容二极管，其进一步包括连接到所述栅极导体的第二端子。
13.根据权利要求12所述的变容二极管，其中所述栅极导体包括p+多晶硅层。
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