[发明专利]太阳能电池的制造方法以及制造装置无效
申请号: | 200980138255.1 | 申请日: | 2009-11-02 |
公开(公告)号: | CN102165601A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 山室和弘;汤山纯平;山根克巳 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 杨晶;王琦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 以及 装置 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,
形成光电转换体,所述光电转换体具有通过划痕线被分区的多个分区单元,彼此相邻的所述分区单元之间被电连接,
检测所述分区单元上存在的结构缺陷,
将存在所述结构缺陷的位置确定为距离数据,所述距离数据表示最接近所述结构缺陷的所述划痕线与所述结构缺陷之间的距离,
根据所述距离数据,去除存在所述结构缺陷的区域。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在确定存在所述结构缺陷的位置时,对包含所述结构缺陷和最接近所述结构缺陷的所述划痕线的区域进行拍摄,通过对所述区域进行拍摄来得到图像,并根据所述图像,将存在所述结构缺陷的位置确定为所述距离数据。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在去除存在所述结构缺陷的区域时,根据所述距离数据,通过照射激光来去除存在所述结构缺陷的区域。
4.一种太阳能电池的制造装置,所述太阳能电池包括光电转换体,所述光电转换体具有通过划痕线被分区的多个分区单元,彼此相邻的所述分区单元之间被电连接,其特征在于,所述太阳能电池的制造装置包括:
缺陷检测部,检测所述分区单元上存在的结构缺陷;
缺陷位置确定部,将存在所述结构缺陷的位置确定为距离数据,所述距离数据表示最接近所述结构缺陷的所述划痕线与所述结构缺陷之间的距离;以及
修复部,根据所述距离数据,去除存在所述结构缺陷的区域。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造装置,其特征在于,
所述缺陷位置确定部包括拍摄装置,所述拍摄装置对包含所述结构缺陷和最接近所述结构缺陷的所述划痕线的区域进行拍摄。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造装置,其特征在于,
所述修复部包括激光装置。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造装置,其特征在于,
所述缺陷位置确定部和所述修复部包括彼此共用的光学系统。
8.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造装置,其特征在于,
所述缺陷位置确定部包括:
照相机,通过对所述结构缺陷和所述划痕线进行拍摄从而得到图像;以及
光学系统,变更拍摄倍率以使所述结构缺陷和所述划痕线包含在所述图像中。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造装置,其特征在于,
所述缺陷位置确定部和所述修复部包括彼此共用的光学系统,
所述缺陷位置确定部使用与所述划痕线相对应并包含在所述图像中的划痕线图像、以及与所述结构缺陷相对应并包含在所述图像中的结构缺陷图像,以所述划痕线图像的宽度为基准,生成所述结构缺陷图像的位置数据和大小数据,
所述修复部包括:
激光装置,向所述结构缺陷照射激光;以及
激光照射位置移动部,对所述结构缺陷与所述激光装置之间的相对位置进行控制,
所述修复部基于所述结构缺陷图像的所述位置数据和所述大小数据以及所述激光照射目标点,对所述激光照射位置移动部的位置进行控制,
所述激光装置以在所述分区单元上照射所述激光的位置与所述图像中的激光照射目标点一致的状态,向所述分区单元上照射所述激光,去除存在所述结构缺陷的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的