[发明专利]电极、半导体装置、及其制造方法有效
| 申请号： | 200980138316.4 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102187464A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置，其特征在于：
所述电阻性电极含有14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素、35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，当所述电阻性电极的所述铝元素与所述钛元素的原子比为6.3时，所述镍元素与所述铝元素的原子比为0.5～1.7。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述电阻性电极的所述镍层与所述钛层及所述铝层的积层膜的膜厚为45～690nm。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在所述电阻性电极中，所述镍层的膜厚、所述钛层的膜厚以及所述铝层的膜厚分别为10～340nm、5～50nm、30～300nm。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在具有所述电阻性电极的所述碳化硅半导体区域的一面的反面，具有其它电阻性电极。
6.一种具有在p型碳化硅半导体区域上由镍层、钛层、铝层构成的电阻性电极的半导体装置的制造方法，其特征在于：
具有在所述碳化硅半导体区域上形成所述镍层的工序、
在所述镍层上形成所述钛层的工序、
在所述钛层上形成所述铝层的工序、
以及将由所述镍层、所述钛层及所述铝层构成的积层电极体在600～850℃下加热后形成所述电阻性电极的工序，
所述电阻性电极的所述镍元素与所述钛元素的原子比为1～11。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，当所述电阻性电极的所述铝元素与所述钛元素的原子比为6.3时，所述镍元素与所述铝元素的原子比为0.5～1.7。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述电阻性电极的所述镍层与所述钛层及所述铝层的积层膜的膜厚为45～690nm。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，在所述电阻性电极中，所述镍层的膜厚、所述钛层的膜厚以及所述铝层的膜厚分别为10～340nm、5～50nm、30～300nm。
10.一种在p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性的电极，其特征在于：
其含有14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素、35～74原子％的铝元素，同时，所述镍元素与所述钛元素的原子比为1～11。
11.根据权利要求10所述的电极，其特征在于：
其中，当所述铝元素与所述钛元素的原子比为6.3时，所述镍元素与所述铝元素的原子比为0.5～1.7。
12.根据权利要求10所述的电极，其特征在于：
其中，所述镍层与所述钛层及所述铝层的积层膜的膜厚为45～690nm。
13.根据权利要求12所述的电极，其特征在于：
其中，所述镍层的膜厚、所述钛层的膜厚以及所述铝层的膜厚分别为10～340nm、5～50nm、30～300nm。
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