[发明专利]用于存储装置的基于性能因素调节的软数据生成方法装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2008年9月30日提交的美国临时专利申请序号61/194,751和2009年6月30日提交的国际专利申请序号PCT/US09/49333，题为“Methods and Apparatus for Soft Demapping and Intercell Interference Mitigation in Flash Memories”的优先权，其每一个通过引用并入本文。

本申请涉及题为“Methods and Apparatus for Soft Data Generation for Memory Devices”的国际专利申请、题为“Methods and Apparatus for Soft Data Generation for Memory Devices Using Reference Cells”的国际专利申请和题为“Methods and Apparatus for Soft Data Generation for Memory Devices Using Decoder Performance Feedback”的国际专利申请，上述同时提交的各个专利申请通过引用被并入本文。

技术领域

本发明通常涉及闪存装置，并且更具体地涉及基于提高检测和解码性能的性能因素调节的改进的软数据生成技术。

背景技术

例如闪存装置的许多存储装置使用模拟存储器单元来储存数据。每个存储器单元存储例如电荷或者电压的模拟值，也被称为存储值。存储值代表存储在单元中的信息。例如，在闪存装置中，每个模拟存储器单元通常存储一定的电压。对于每一单元，可能的模拟值的范围通常被分成多个阈值区域，每个区域相应于一个或更多个数据比特值。通过写入与期望的一个或更多个位相对应的标称的模拟值来将数据写入模拟存储器单元。

例如，单级单元(SLC)闪存装置在每个存储器单元存储一个比特(或者两种可能的存储器状态)。另一方面，多级单元(MLC)闪存装置在每个存储器单元存储两个或更多个比特(即，每个单元具有四种或更多种可编程的状态)。对于MLC闪存装置的更详细的讨论，请参见，例如，2009年3月11日提交的国际专利申请序号PCT/US09/36810，题为“Methods and Apparatus for Storing Data in a Multi-Level Cell Flash Memory Device with Cross-Page Sectors，Multi-Page Coding And Per-Page Coding”，其通过引用被并入本文。

存储在存储器单元中的模拟值通常会发生失真。失真通常是由于例如背后图案依赖性(BPD)、噪声和单元间干扰(ICI)造成的。对于闪存装置中的失真的更详细的讨论，请参见例如J.D.Lee等人的“Effects of Floating-Gate Interference on NAND Flash Memory Cell Operation”，IEEE Electron Device Letters，264-266(2002年5月)或者Ki-Tae Park等人的“A Zeroing Cell-to- Cell Interference Page Architecture With Temporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for M

已经提出或者建议了许多技术用于减轻ICI及其他干扰的影响。例如，Ki-Tae Park等人描述了减轻ICI的现有的编程技术，例如奇偶编程、颠倒程序和多阶段编程。此外，2009年6月30日提交的国际专利申请序号PCT/US09/49333，题为“Methods and Apparatus for Soft Demapping and Intercell Interference Mitigation in Flash Memories”公开了在闪存中用于软去映射和减轻干扰的方法和装置。

尽管这些现有的方法有助于提高闪存的解码性能，然而它们遭受了许多限制，而如果能够克服这些限制，则可以进一步提高闪存的可靠性。例如，现有的闪存通常仅仅提供硬数据到闪存控制系统用于解码。然而，为大家所熟知的是软数据可以改善解码处理中的错误率性能。因此，需要使用来自闪存的硬数据的软数据生成技术，从而估算或者增强软数据并且由此提高解码性能。

发明内容