[发明专利]单晶闪烁体材料及其制造方法、放射线检测器和PET装置

权利要求书

1.一种单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于，包括：

准备含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的至少1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂的工序，

将Ce化合物和Lu化合物与所述熔剂混合，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使所述化合物熔融的工序，和

通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(Ce_xLu_1-x)BO₃所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。

2.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

准备所述熔剂的工序和使所述化合物熔融的工序是混合形成所述熔剂的化合物、Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中进行加热的工序。

3.一种单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于，包括：

准备含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的至少1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂的工序，

将Ce化合物和Lu化合物与所述熔剂混合，进行加热而使所述化合物熔融的工序，

通过对熔融的所述化合物进行冷却，使组成式(Ce_xLu_1-x)BO₃所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序；

所述单晶的析出成长以低于从高温球霰石相到方解石相的相转变的温度进行。

4.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

所述Ce的组成比例x满足0.001≤x≤0.03。

5.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

所述使单晶析出成长的工序利用TSSG法进行。

6.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

在所述使单晶析出成长的工序中，熔融的所述化合物的温度以0.001℃/小时以上、5℃/小时以下的降温速度冷却至750℃以上、小于1350℃的温度。

7.如权利要求6所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

所述析出成长的工序进行80小时以上。

8.一种单晶闪烁体材料，其特征在于：

具有组成式(Ce_xLu_1-x)BO₃所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶部，且所述单晶部的Pb含量以质量比例计为50ppm以下。

9.如权利要求8所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述Ce的组成比例x满足0.001≤x≤0.03。

10.如权利要求8所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述单晶部具有方解石型结晶结构。

11.如权利要求8所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

镜面加工为厚度0.5mm的所述单晶部在波长270nm处的透射率为20％以上。

12.一种放射线检测器，其特征在于：

具备权利要求8～11中任一项所述的单晶闪烁体材料和检测从所述单晶闪烁体材料发出的光的检测器。

13.一种PET装置，其特征在于：

具备排列为环状的多个放射线检测器，检测从被检测体发出的γ射线，

所述多个放射线检测器分别为权利要求12所述的放射线检测器。