[发明专利]用于对衬底进行化学处理的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于通过使起化学作用的液态加工介质（Prozessmedium）与衬底的至少下侧面接触来对具有下侧面、上侧面和侧面的优选为片状或板状的衬底进行化学处理的方法，其中在形成衬底、衬底介质与包围衬底和衬底介质的气氛（Atmosph?re）之间的三重线的同时衬底相对于加工介质运动。

背景技术

根据现有技术公知有大量用于对板状构件进行化学处理的连续处理方法，其中通过加工介质产生与构件的表面的化学反应。在半导体工业中，这尤其是用于对尤其是光伏应用领域中的半导体材料进行化学清洗和结构化的蚀刻方法、对大面积和薄的硅片的化学处理。

半导体工业的方法主要给片材表面施加气态加工介质和/或液态加工介质。

公知有如下方法：在所述方法中，给片材表面施加气态加工介质，使得衬底的整个表面与气态介质发生化学反应。对此的示例是置于含有氢氟酸蒸汽的气氛中，其中存在于衬底表面上的氧化层被侵蚀掉。对衬底的前侧和/或后侧和/或棱边的选择性处理利用该方法——如果可能的话——仅能不充分地进行。可以通过将衬底放置到平面底座上来部分地实现对防止衬底侧被加工介质浸润（Benetzung）的不完全保护，其方式是可以在支承面的范围内部分地抑制对气态介质的施加。此外，存在对每两个片状衬底进行面对面定位的可能性，使得可以部分地排除两个衬底彼此之间的接触面被气态加工介质浸润。

还公知有通过与表面发生化学反应的液态介质对片材表面进行处理（WO-A-2007/073886，WO-A-2007/073887），其中通过滚动将液态介质输送到片材表面并且有针对性地仅仅使朝向液体的片材侧被浸润。

另外公知有如下方法：在所述方法中，使片材在细的输送辊上运动，其中在形成从片材的棱边朝向液体体积的向下定向的液体弯月面的情况下通过在液体表面上浸润来产生液态介质与位于下面的片材表面的接触。在相应的方法中，片材棱边被排除在化学反应之外并且最大程度地不受控制并且在此被不可再现地处理。

如果例如晶片的薄衬底具有侧面中的损伤或缺陷，则可以在进一步的处理中确定衬底从侧面出发被损伤或者有区域破裂。

从DE-A-103 13 127中可以得知一种用于在硅片的情况下防止形成短路的方法。为了加工，片材的下侧以及必要时片材的棱边被沉降到蚀刻池中。

根据WO-A-2005/093788，硅片的下侧面以及侧面在连续处理方法中被连贯地加工，所通过的方式是硅片在输送辊上被运送穿过液体池。

DE-A-44 23 326涉及一种用于对晶片结构进行背侧蚀刻的方法。为此，衬底被固定在保持装置中，以便然后给一侧施加蚀刻介质并且给另一侧施加氮气。

发明内容

本发明所基于的任务是，将之前所述类型的方法改进为使得以化学方式除去尤其是存在于侧面中的缺陷，从而在进一步处理中提供破裂减低。在此，该化学处理将在连贯的连续加工中执行，以便根据本方法经济地工作。

根据本发明，该任务基本上通过如下方式来解决：在避免加工介质与衬底的上侧面接触的情况下执行相对运动；相对于衬底与加工介质之间的相对运动以所期望的高度在背向加工介质流动侧的侧面处形成三重线；和/或在存在于加工介质中的成分的分压方面将气氛调节为使得上侧面保留疏水性特性或者在上侧面中形成疏水性特性；和/或衬底优选地在与加工介质相对运动期间被以这样的程度旋转，即使得三重线在化学处理期间从上侧面与侧面之间的每个棱边或者在侧面的范围中出发。尤其是规定：在衬底的上侧面与侧面之间的背向加工介质流动侧的棱边处形成三重线。

根据本发明提供一种用于对薄板状或片状衬底进行化学处理、尤其是对用于制造太阳能电池的衬底进行处理的方法，其中在连贯的连续处理方法中减小破裂敏感度。通过方法典型的处理，在连贯的连续处理方法中将衬底的下侧面以及侧面同时处理为使得通过用起化学作用的加工介质浸润来在一个工作步骤中仅仅进行与衬底的下侧面和侧面的化学反应，而不将上侧面包括到化学反应中。