[发明专利]具有并行操作模式的固态存储装置控制器

说明书

技术领域

本发明大体来说涉及存储器装置，且在特定实施例中本发明涉及非易失性存储器装置。

背景技术

在计算机或其它电子装置中，存储器装置可包含内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)及非易失性存储器。

非易失性存储器装置(例如，快闪存储器)已发展成用于广范的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。快闪存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机及蜂窝式电话。例如基本输入/输出系统(BIOS)的程序代码及系统数据通常存储于快闪存储器装置中以供在个人计算机系统中使用。

非易失性存储器装置还并入到固态存储装置(例如固态驱动器)中。固态驱动器可用于计算机中以替换硬盘驱动器，所述硬盘驱动器通常已使用磁盘或光盘来存储大量数据。固态驱动器不使用移动部件，而硬盘驱动器需要复杂且敏感的驱动器及读取/写入磁头组合件以与所述磁盘/光盘交互。因此，所述固态驱动器对通过振动及碰撞所致的数据损坏及丢失具更强抵抗性。

图1图解说明在控制器与存储器装置之间具有四个信道的一个典型的现有技术固态存储装置。在此实例中，一个信道包括连接到控制器100的四个堆叠式存储器装置101到104。

当前固态驱动器技术的一个缺点是实现充分地且具成本效益地替换计算机的硬盘驱动器所必需的存储器密度。由于数字图像、电影及音频文件，大多数现代计算机需要用于存储极大数据量(例如，250GB或250GB以上)的能力。因此，举例来说，有效的固态驱动器应具有接近典型硬驱动器的存储器密度、保持具成本竞争性及仍适合于膝上型计算机的不断减小的厚度或企业存储系统的约束。

出于上文所陈述的原因，且出于下文所陈述的所属领域的技术人员在阅读及理解本说明书之后将明了的其它原因，此项技术中需要一种用以增加固态驱动器的存储器密度同时维持或减小大小的方式。

附图说明

图1展示典型的现有技术固态存储装置。

图2展示根据图3的非易失性存储器装置的非易失性存储器阵列的一部分的一个实施例的示意图。

图3展示并入有图2的存储器阵列的非易失性存储器装置的一个实施例的框图。

图4展示根据图3构成固态存储装置的一个或一个以上信道的多个非易失性存储器装置的一个实施例的框图。

图5展示并入有具有并行操作模式的固态存储装置控制器的固态存储装置的一个实施例的框图。

图6展示根据图5的固态存储装置控制器的逻辑表示。

图7展示用于操作具有并行操作模式的固态存储装置控制器的方法的一个实施例的流程图。

具体实施方式

在本发明的以下详细说明中，参考形成本文的一部分且其中以图解说明的方式展示可实践本发明的具体实施例的附图。在图式中，贯穿数个视图以相似编号描述大致类似的组件。充分详细地描述这些实施例以使得所属领域的技术人员能够实践本发明。可利用其它实施例且可在不背离本发明范围的前提下做出结构、逻辑及电改变。因此，不应将以下详细说明视为具有限制意义，且本发明的范围仅由所附权利要求书及其等效内容界定。

图2图解说明包括非易失性存储器单元串联串的NAND架构存储器阵列的一部分的示意图。尽管后续论述是指NAND存储器装置，但本发明实施例并不限于此架构，而是也可用于其它存储器装置架构中。

所述存储器阵列包括布置成若干列(例如串联串204、205)的非易失性存储器单元201(例如，浮动栅极)阵列。单元201中的每一者漏极到源极地耦合于每一串联串204、205中。跨越多个串联串204、205的存取线(例如，字线)WL0到WL31连接到一行中的每一存储器单元的控制栅极以偏置所述列中的存储器单元的控制栅极。数据线(例如位线BL1、BL2)最终连接到感测放大器(未展示)，所述感测放大器通过感测特定位线上的电流来检测每一单元的状态。

每一存储器单元串联串204、205通过源极选择栅极216、217耦合到源极线206，且通过漏极选择栅极212、213耦合到个别位线BL1、BL2。源极选择栅极216、217由耦合到其控制栅极的源极选择栅极控制线SG(S)218控制。漏极选择栅极212、213由漏极选择栅极控制线SG(D)214控制。