[发明专利]磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置

权利要求书

1.一种磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜；以及

点间分隔步骤，将N₂⁺离子与N⁺离子的混合离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个区域以外的其他区域，降低饱和磁化，由此在该磁性点之间形成饱和磁化比该磁性点的饱和磁化小的点间分隔带，其中，所述磁性点分别以磁的方式记录信息。

2.根据权利要求1所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

掩模形成步骤，在所述磁性膜的要成为所述磁性点的多个区域上，形成阻碍离子注入到所述磁性点中的掩模，其中

所述点间分隔步骤包括：从多个区域上形成有所述掩模的磁性膜上方施加所述混合离子，从而将所述混合离子局部地注入由该掩模保护的磁性点之间的区域。

3.根据权利要求1或2所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括：在所述基板上交替地层叠多种原子层，形成具有人工晶格结构的磁性膜。

4.根据权利要求3所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括：交替地层叠Co原子层和铂金属原子层，形成所述具有人工晶格结构的磁性膜。

5.根据权利要求3或4所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括：交替地层叠Co原子层和Pd原子层，形成所述具有人工晶格结构的磁性膜。

6.根据权利要求2所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤包括用抗蚀剂形成所述掩模。

7.根据权利要求2或6所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤包括：通过纳米压印工艺，用抗蚀剂形成所述掩模。

8.一种磁存储介质，其特征在于，该磁存储介质包括：

基板；

多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各所述磁性点以磁的方式记录信息；以及

点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且该点间分隔带具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入了N₂⁺离子与N⁺离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化。

9.根据权利要求8所述的磁存储介质，其特征在于，所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构的磁性膜，并且

所述点间分隔带具有与所述人工晶格结构连续且注入有所述混合离子的人工晶格结构。

10.根据权利要求9所述的磁存储介质，其特征在于，所述人工晶格结构是Co原子层与铂金属原子层交替层叠的结构。

11.根据权利要求9或10所述的磁存储介质，其特征在于，所述人工晶格结构是Co原子层与Pd原子层交替层叠的结构。

12.一种信息存储装置，其特征在于，所述信息存储装置包括：

磁存储介质，其包括：

基板；

多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各

所述磁性点以磁的方式记录信息；以及

点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且该点间分隔带具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入有N₂⁺离子与N⁺离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化；

磁头，其接近或接触所述磁存储介质，以磁的方式对所述磁性点执行信息的记录和/或再生；以及

磁头位置控制系统，其相对于所述磁存储介质的表面相对移动所述磁头，将所述磁头定位于由所述磁头执行信息记录和/或再生的磁性点上。

13.根据权利要求12所述的信息存储装置，其特征在于，所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构。

14.根据权利要求12所述的信息存储装置，其特征在于，

所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构的磁性膜，并且

所述点间分隔带具有与所述人工晶格结构连续且注入有所述混合离子的人工晶格结构。

15.根据权利要求13或14所述的信息存储装置，其特征在于，所述人工晶格结构是Co原子层与Pd原子层交替层叠的结构。