[发明专利]高密度多维寻址组件的产生

权利要求书

1.一种生成含有共价连接的生物聚合物的产品的方法，所述生物聚合物配置为规定的形状，所述规定的形状产生自显示互补单链多核苷碱基的互补靠模形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生物聚合物是从由脱氧核糖核酸、核糖核酸和肽核酸所组成的组中选取。

3.根据权利要求1所述的方法，其中产品的所述生成包括形成薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述共价连接包括硫醇-金的相互作用或胺-亲电体烷基化或缩合反应中的一种或多种；并且包括直接连接至所述生物聚合物的主链或通过双功能衔接物分子的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述亲电体包括环氧化物、烃基卤、酐或共轭受体中的一种或多种。

6.一种生产包括规定取向的编址生物聚合物的产品的方法，所述方法包括用模板底座来生产所述产品，所述模板底座包含互补多核苷碱基的预先编排的图样。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述模板底座包括所述互补多核苷碱基的方形阴影图样，在所述产品中产生地址的虚线图样。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述模板底座包括互补多核苷碱基的六边形图样，在所述产品中产生地址的锯齿状图样。

9.一种生产产品元件的方法，所述方法包括在光敏固态基质矩阵中产生一致的凹形结构，然后金属气相沉积以允许自组装的生物聚合物图样的连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述基质矩阵包括硅，所述硅已被用光敏材料涂覆。

11.根据权利要求9所述的方法，其中提供所述基质包括用各向同性方法和保护性光掩膜在基质中蚀刻一致的圆柱形槽。

12.根据权利要求9所述的方法，其中金属气相沉积包括：5nm钛层的沉积，15nm金层的沉积，随后除去所述光掩膜。

13.一种生产电子电路的方法，所述方法使用权利要求1-12所述方法的任一种。

14.一种生产模拟酶转化的组件的方法，所述方法包括权利要求1-12方法中的任一种，其中所述组件在稳定性、pH、温度和存在已知加速催化作用的添加剂的至少一个方面上提供了优于相似的天然存在酶的特征。

15.一种工艺，所述工艺用于模板化从互补靠模形状产生的显示共价连接的生物聚合物的形状，所述靠模形状自身显示根据Watson-Crick杂交配对定义的互补单链多核苷碱基。

16.根据权利要求15的工艺，其中适当的生物聚合物包含脱氧核糖核酸、核糖核酸和肽核酸。

17.根据权利要求15的工艺，其中复制技术包含成薄膜。

18.根据权利要求15的工艺，其中单链生物聚合物与底座的材料之间的适当的共价键包含：硫醇-金的相互作用，或者胺-亲电体烷基化或缩合反应，无论是通过直接连接至所述生物聚合物的主链或者另外地通过双功能的衔接物分子。所述亲电体包括但不限于：环氧化物、烷基卤、酐、或共轭受体。

19.一种工艺，所述工艺用于产生规定取向的编址生物聚合物，所述规定的取向是由于连接至模板底座的互补多核苷碱基的预先编排的图样。

20.根据权利要求19的工艺，其中地址的虚线图样会从连接至模板底座的互补多核苷碱基的方形阴影图样产生。

21.根据权利要求19的工艺，其中地址的锯齿状图样会从连接至模板底座的互补多核苷碱基的六边形图样产生。

22.一种工艺，所述工艺用于光敏固态基质矩阵中一致的凹形结构，然后金属气相沉积以允许自组装的生物聚合物图样的连接。

23.根据权利要求22的工艺，其中所述基质是硅，所述硅已用光敏材料涂覆。

24.根据权利要求22的工艺，其中可以用各向同性方法和保护性光掩膜在所述基质中蚀刻一致的圆柱形槽。

25.根据权利要求22的工艺，其中一致的金属气相沉积在此定义为5nm钛，然后是15nm金，随后除去光掩膜。