[发明专利]基板检测装置及方法有效
申请号: | 200980138891.4 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102171806A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 榎本雅幸;鹰取正夫;中村洋一 | 申请(专利权)人: | 川崎重工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛利群;王忠忠 |
地址: | 日本兵库县神户市*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于对收容在盒内的多个基板的收容状态进行检测的装置及方法。本发明特别适用于对收容在晶片盒(FOUP)内的多个半导体晶片的收容状态进行检测。
背景技术
历来,作为对收容在晶片盒(FOUP)内的多个晶片的收容状态进行检测的方法,已知有通过透射式光开关对晶片端部机械地进行扫描并通过遮光感测进行映射(mapping)的方式(遮光式传感器扫描)。
此外,已知也有用摄影机对收容在晶片盒内的晶片进行摄影,对其图像进行处理来检测晶片的收容状态的方式。作为利用这样的图像的映射传感器的手法,有取得并解析多条与晶片面垂直的2点间的亮度剖面(profile)线的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-5347号公报;
专利文献2:日本特表2005-520350号公报。
可是,虽然上述的遮光式传感器扫描的映射方式是简便的,但必须对机构部分安装传感器,此外,机械式扫描需要比较长的时间,而且对于凸出感测功能需要另外追加设置专用的传感器。
在此,“凸出感测”指的是感测出收容在晶片盒内的晶片比规定的收容位置向前方凸出的状态。
此外,在解析从图像取得的亮度剖面线的方法中,由于根据其峰(捕获晶片端的反射)的位置以及间隔判定晶片的有无以及交叉晶片(cross wafer)等,所以存在经受不住局部的干扰的问题。
为了解决该问题,提出了一种增加亮度剖面线并进行加法,由此去除局部的干扰的影响的方法。
但是结果是在利用晶片端部的反射的图像处理方法中,在晶片存在镀敷剂等的附着物的情况下,存在反射率降低、无法感测反射像的情况,有与透射式的晶片检测方式相比可靠性低的问题。
发明内容
本发明正是鉴于上述的现有技术的问题点而完成的,其目的在于提供一种能迅速且可靠地检测盒内的多个基板的收容状态的基板检测装置及方法。
为了解决上述课题,本发明是一种用于对收容在盒内的多个基板的收容状态进行检测的装置,其特征在于,具备:准直反射板,配置在所述多个基板的旁边;照明单元,朝向所述准直反射板呈面状地放射光,其中,该照明单元以所述多个基板的端部位于其光路内的方式配置;摄像单元,对通过从所述照明单元呈面状地放射的光而在所述准直反射板上形成的、包含所述多个基板的端部的照明透射像进行摄像;以及图像处理单元,对通过所述摄像单元取得的所述照明透射像的图像进行处理,检测所述多个基板的收容状态。
优选所述照明单元包含面光源。
优选所述照明单元包含:点光源,朝向所述准直反射板放射光;以及回复反射板,将在所述准直反射板反射而平行化了的光朝向所述准直反射板反射。
优选,所述点光源和所述摄像单元相互配置在大致同轴的位置。
优选所述面光源或所述点光源包含发光二极管。
优选所述准直反射板由抛物面镜构成。
优选所述准直反射板由将多个平面镜作为整体呈大致曲面状地组合形成的曲面镜构成。
为了解决上述课题,本发明是一种对收容在盒内的多个基板的收容状态进行检测的方法,其特征在于,照明工序,朝向配置在所述多个基板的旁边的准直反射板,从照明单元放射面状的光,其中,所述多个基板的端部位于其光路内;摄像工序,利用摄像单元,对通过从所述照明单元呈面状地放射的光而在所述准直反射板上形成的、包含所述多个基板的端部的照明透射像进行摄像;以及检测工序,利用图像处理单元,对通过所述摄像单元取得的所述照明透射像的图像进行处理,检测所述多个基板的收容状态。
优选所述照明单元包含面光源。
优选在所述照明工序中,在所述照明工序中,从点光源朝向所述准直反射板放射光,将在所述准直反射板反射而平行化了的光,以所述多个基板的端部位于其光路内的方式利用回复反射板朝向所述准直反射板反射。
优选所述点光源和所述摄像单元被相互配置在大致同轴的位置。
优选所述面光源或所述点光源包含发光二极管。
优选所述准直反射板由抛物面镜构成。
优选所述准直反射板由将多个平面镜作为整体呈大致曲面状地组合形成的曲面镜构成。
附图说明
图1A是将本发明的一个实施方式的基板检测装置的概略结构和收容有多个晶片的FOUP一起进行表示的侧面图。
图1B是将本发明的一个实施方式的基板检测装置的概略结构和收容有多个晶片的FOUP一起进行表示的平面图。
图2是表示通过在图1A及图1B中示出的基板检测装置取得的图像的示意的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造